| 发明名称 | ROM器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种ROM器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底内形成埋层区；在具有埋层区的基底上形成栅极；在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。本发明所提供的ROM器件制造方法，由于在所述基底的埋层区上形成了金属硅化物，而所述金属硅化物能够有效地减小埋层区的寄生电阻，所述埋层区寄生电阻的减小有利于ROM器件特征尺寸的进一步减小，且不会影响所述ROM器件的运行速度。按照本发明所提供的ROM器件制造方法，能够生产出特征尺寸为0.18μm的FLAT CELL ROM器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102810516A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110147412.4 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 肖莉 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种ROM器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底内形成埋层区；在具有埋层区的基底上形成栅极；在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||