| 发明名称 | 掩膜版及其光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掩膜版，所述掩膜版的上表面涂覆有可透光亲水涂层，所述可透光亲水涂层用于阻挡掩膜版内部的离子与空气中的离子结合成晶体；所述可透光亲水涂层之上还吸附有水膜，用于溶解所述空气中的离子和所述掩膜版内部的离子。同时，本发明还公开了一种光刻方法，采用本发明公开的掩膜版和光刻方法能够提高光刻图案的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN102809896A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110142385.1 | 申请日期 | 2011.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 金普楠;常聪 |
| 分类号 | G03F1/48(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/48(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种掩膜版，所述掩膜版的上表面涂覆有可透光亲水涂层，所述可透光亲水涂层用于阻挡掩膜版内部的离子与空气中的离子结合成晶体；所述可透光亲水涂层之上还吸附有水膜，用于溶解所述空气中的离子和所述掩膜版内部的离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||