| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形成位于所述栅极两侧侧壁上的侧壁间隔件；以所述顶部掩模层为掩模，对所述衬底进行干法刻蚀，以在相邻的侧壁间隔件之间的衬底中形成凹槽；对所述凹槽进行氧化，以围绕所述凹槽的内壁形成衬里氧化物层；通过各向同性湿法刻蚀，去除所述衬里氧化物层；对所述凹槽进行晶向选择性的湿法刻蚀，以将所述凹槽的内壁形成为具有∑形状。本公开实施例的方法利用氧化处理和湿法刻蚀处理去除了被干法刻蚀损伤的有晶格缺陷的衬底部分，从而能够获得良好的外延生长性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102810481A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110147175.1 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张翼英;何其旸 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 邹姗姗 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形成位于所述栅极两侧侧壁上的侧壁间隔件；以所述顶部掩模层为掩模，对所述衬底进行干法刻蚀，以在相邻的侧壁间隔件之间的衬底中形成凹槽；对所述凹槽进行氧化，以围绕所述凹槽的内壁形成衬里氧化物层；通过各向同性湿法刻蚀去除所述衬里氧化物层；对所述凹槽进行晶向选择性的湿法刻蚀，以将所述凹槽的内壁形成为具有∑形状。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||