| 发明名称 | 防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层、及金属层，其中沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。本发明还公开了这种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法以及另一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101604670B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200810114957.3 | 申请日期 | 2008.06.13 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 方绍明;刘鹏飞;曾爱平;陈勇;陈洪宁;王新强 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐 |
| 主权项 | 一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，所述栅极焊点结构从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；其中，沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触；其中，所述栅极介质层位于栅极焊点位置处。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513 | ||