绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法

摘要

本发明提供了绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法，其中所提供的一种纳米硅铁电存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，所述存储单元包括：一个场效应晶体管，其中栅极靠近漏极一侧侧壁为数据存储区，材质为内嵌纳米硅颗粒的多孔氧化硅材料；所述场效应晶体管的栅极连接字线，漏极以及源极分别连接第一位线以及第二位线，衬底连接外置电压源；所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读操作电流。本发明采用内嵌纳米硅颗粒的多孔氧化硅材料制作铁电存储器的数据存储区，与现有铁电存储器相比，与CMOS工艺兼容性更佳，具有更优异的非易失性数据存储能力，解决常规铁电存储器的极性退化导致数据丢失问题。

主权项

一种纳米硅铁电存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，其特征在于，所述存储单元包括：一个场效应晶体管，其中栅极靠近漏极一侧侧壁为数据存储区，材质为内嵌纳米硅颗粒的多孔氧化硅材料；所述场效应晶体管的栅极连接字线，漏极以及源极分别连接第一位线以及第二位线，衬底连接外置电压源；所述场效应晶体管为NMOS晶体管，在存储单元选通以及读、写操作时，字线施加于栅极的电压不超过场效应晶体管的阈值电压；所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读操作电流。