| 发明名称 | MOS晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层和多晶硅层；对栅介质层和多晶硅层进行刻蚀；对刻蚀后的多晶硅层进行氧化；还包括：执行氧化后退火。本发明在对刻蚀后的多晶硅层氧化之后、进行LDD注入和Halo注入之前加入氧化后退火，可以大部分消除半导体衬底内形成的缺陷，防止在后续LDD注入和Halo注入的掺杂离子与这些氧化多晶硅过程中形成的缺陷相互作用造成更多的缺陷，因此，在LDD注入后的退火中可以抑制氧化增强扩散效应，防止器件受到短沟道效应的影响。同时，采用氧化后退火可以达到修复多晶硅栅氧化层缺陷的作用，从而增强器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101930923B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200910054099.2 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层和多晶硅层；对栅介质层和多晶硅层进行刻蚀；对刻蚀后的多晶硅层进行氧化，在多晶硅层外围形成第一氧化层；执行氧化后退火，以消除在形成第一氧化层过程中半导体衬底与栅介质层交界处产生的缺陷；进行LDD注入；执行LDD注入后退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||