发明名称 |
边缘电容器电路 |
摘要 |
在各种实现方式中根据期望的质量因数来实现电容电路。根据示例实施例,边缘电容器包括两个电容电路(例如,极板),两个电容电路分别具有从端结构延伸的多个电容指状物,并且相应地在公共侧边缘电容器上具有与其他电容电路的连接引脚相邻的连接引脚。电容指状物被布置在堆叠层中,其中,过孔将不同层中的指状物连接回连接引脚。 |
申请公布号 |
CN102163500B |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201010600478.X |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
埃德温·范德赫尔登;卢卡斯·弗雷德里克·蒂梅杰;玛丽斯泰拉·斯佩拉 |
分类号 |
H01G4/005(2006.01)I;H01G4/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/005(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种基于半导体的边缘电容器器件,包括:衬底;在所述衬底上的第一和第二电容电路,分别包括所述器件的至少一个金属层中的多个指状延伸;使指状延伸分开的介电材料;以及每个电容电路具有连接引脚,各个连接引脚在电容电路的公共侧上彼此相邻,其中,各个电容电路包括所述器件的垂直相邻金属层中的指状延伸,金属层通过介电材料彼此分开,电容电路中的至少一个具有位于金属层中的至少两个紧邻金属层中的、并且经由穿过层之间的介电材料延伸的过孔彼此耦合的指状延伸。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |