| 发明名称 | 包括碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供形成用在存储器单元中的平坦碳纳米管(“CNT”)电阻率切换材料的方法，所述方法包括：沉积第一介电材料(58b)；对第一介电材料构图；蚀刻该第一介电材料来形成在该第一介电材料内的形态；在该第一介电材料上沉积CNT电阻率切换材料，以用该CNT电阻率切换材料至少部分地填充该形态；在该CNT电阻率切换材料上沉积第二介电材料(112)；以及平坦化该第二介电材料和该CNT电阻率切换材料以暴露在所述形态内的该CNT电阻率切换材料的至少一部分。还提供其他方面。 | ||
| 申请公布号 | CN102027610B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200980117208.9 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 阿普里尔·D·施里克;马克·H·克拉克 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种形成用在存储器单元中的平坦碳纳米管电阻率切换材料的方法，所述方法包括：沉积第一介电材料；对第一介电材料构图；蚀刻该第一介电材料来形成在该第一介电材料内的结构特征；在该第一介电材料上沉积碳纳米管电阻率切换材料，以用该碳纳米管电阻率切换材料至少部分地填充该结构特征；在该碳纳米管电阻率切换材料上沉积第二介电材料；以及平坦化该第二介电材料和该碳纳米管电阻率切换材料以暴露在所述结构特征内的该碳纳米管电阻率切换材料的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||