| 发明名称 | 半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体制造方法，首先对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；然后选用稀氟化氢溶液，对光刻板显影区域上的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻。本发明湿法蚀刻中采用蚀刻速率慢的稀氟化氢溶液对阻挡层光刻胶显影区域硅化物进行蚀刻，在蚀刻去掉阻挡层硅化物时不会在多晶层上产生坑状缺陷，从而解决栅氧化层完整性失效的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102082086B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200910188534.0 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 侯欢;王德进;张克云;刘福海 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造方法，包括如下步骤：对光刻胶显影区域上的富硅氧化物进行干法蚀刻；干法蚀刻后的所述富硅氧化物剩余部分的厚度为<img file="FSB00000878329300011.GIF" wi="135" he="49" />至<img file="FSB00000878329300012.GIF" wi="139" he="55" />选用稀氟化氢溶液，对光刻胶显影区域的富硅氧化物剩余部分进行湿法蚀刻，所述稀氟化氢溶液为摩尔比为50∶1到400∶1稀氟化氢溶液。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||