跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法，采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环，通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量，从而与N型杂质达到电荷平衡，提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结，PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压，这种方式虽然简单，但却使弯道部分不存在沟道，从而浪费了芯片面积。采用该发明不仅可以在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压，而且可以在弯道部分保留沟道，使器件电流变大，达到有效利用芯片面积，增大电流，降低导通电阻的目的。

主权项

一种跑道形NLDMOS晶体管，包括直道部分和弯道部分，其特征在于：所述直道部分包括直道漏端、直道N型漂移区、直道P型条和直道源栅及衬底，所述直道源栅及衬底设于直道漏端两侧，所述直道N型漂移区和直道P型条相互间隔设置在直道漏端和直道源栅及衬底之间；所述弯道部分包括弯道N型漂移区及与所述弯道N型漂移区相邻设置的弯道P型条；所述弯道部分还包括弯道漏端、弯道源栅及衬底，所述弯道N型漂移区和弯道P型条为两个以上，相互间隔设置在弯道漏端和弯道源栅及衬底之间；所述弯道漏端在中间呈半圆形，弯道N型漂移区、弯道P型条和弯道源栅及衬底为与弯道漏端同心的半圆环结构并依次设置在弯道漏端的外围。