发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法,以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明,在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后,在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料,从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。 | ||
申请公布号 | CN101630639B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
申请号 | CN200910161174.5 | 申请日期 | 2005.01.17 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 前川慎志;藤井严;城口裕子;森末将文 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B05D1/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
主权项 | 一种半导体器件的制造方法,它包括:通过排放含有掺杂镓的氧化锌在溶剂中的微滴在基材上形成膜图案;和在氧气氛下在低压下加热该膜图案以除去所述溶剂。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |