发明名称 |
光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法 |
摘要 |
一种光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法,其中,所述光刻版图包括:第一单元区图形,所述第一单元区图形为矩形;位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形,所述第一标记图形为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行;位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记,所述第二标记图形为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。以所述光刻版图形成光刻胶图形时,仅需进行一次测量,即可得到在同一光刻胶层上两次曝光之间的曝光误差,减少了测量步骤,节约了测试时间。 |
申请公布号 |
CN102809895A |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201210256296.4 |
申请日期 |
2012.07.23 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
岳力挽;赵新民;周孟兴;王彩虹 |
分类号 |
G03F1/44(2012.01)I;G03F1/42(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/44(2012.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种光刻版图,其特征在于,包括:第一单元区图形,所述第一单元区图形为矩形;位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形,所述第一标记图形为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行;位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记图形,所述第二标记图形为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |