发明名称 |
一种减薄碳纳米管薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供一种减薄碳纳米管薄膜的方法,包括:1)将碳纳米管初级膜提供在高表面能的第一转印基底上;2)将高表面能的第二转印基底覆盖在第一转印基底的覆盖有碳纳米管初级膜的一面上;3)将第一转印基底与第二转印基底分离,使该碳纳米管初级膜被分开,各有部分厚度的碳纳米管初级膜被分别转移到第一转印基底与第二转印基底上,得到两片碳纳米管一级膜。并可多次重复所述步骤2)和步骤3),得到碳纳米管次级膜,从而不断减薄碳纳米管薄膜。 |
申请公布号 |
CN102810360A |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201210270061.0 |
申请日期 |
2012.07.31 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
牛志强;周维亚;解思深 |
分类号 |
H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01B13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种减薄碳纳米管薄膜的方法,包括:1)将碳纳米管初级膜提供在高表面能的第一转印基底上;2)将高表面能的第二转印基底覆盖在第一转印基底的覆盖有碳纳米管初级膜的一面上;3)将第一转印基底与第二转印基底分离,使该碳纳米管初级膜被分开,各有部分厚度的碳纳米管初级膜被分别转移到第一转印基底与第二转印基底上,得到两片碳纳米管一级膜。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |