| 发明名称 | 一写多读式存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种一写多读式存储器件及其制造方法。该存储器件包括：上电极；下电极；和形成在所述上电极和下电极之间的高k介质层。其中，所述高k介质层即为存储信息的物理层。根据本发明实施例的一写多读式存储器件具有良好的存储性能，并且其制备方法的每一步骤均是半导体领域成熟的工艺，兼容性高，适合大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102810635A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201210283311.4 | 申请日期 | 2012.08.09 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 袁方;张志刚;潘立阳;许军 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种一写多读式存储器件，包括：上电极；下电极；和形成在所述上电极和下电极之间的高k介质层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||