发明名称 多端口存储器元件电路
摘要 本发明提供了一种具有多端口存储器元件的集成电路。多端口存储器元件可以包括锁存电路、第一组地址晶体管和第二组地址晶体管。锁存电路可以包括交叉耦合的反相器,每个反相器包括上拉晶体管和下拉晶体管。第一组地址晶体管可以将锁存电路耦合到写端口,而第二组地址晶体管可以将锁存电路耦合到读端口。下拉晶体管和第二组地址晶体管可以具有由控制信号控制的体偏置端。在数据加载操作期间,可以临时提升控制信号以弱化下拉晶体管和第二组地址晶体管,从而提高多端口存储器元件的写裕度。
申请公布号 CN102810329A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201110330386.9 申请日期 2011.10.20
申请人 阿尔特拉公司 发明人 S-L·S·李;P·J·麦克尔赫尼;P·辛;S·辛哈
分类号 G11C7/22(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C7/22(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种存储器元件电路,包括:存储元件;耦合至所述存储元件的至少一个写访问晶体管;耦合至所述存储元件的至少一个读访问晶体管;以及控制电路,其可操作用于在使用所述至少一个写访问晶体管向所述存储元件加载数据的同时,弱化所述至少一个读访问晶体管。
地址 美国加利福尼亚州