| 发明名称 | 形成复合材料保护层的方法和装置 | ||
| 摘要 | 形成复合材料保护层的方法和装置，提供一种减少陶瓷复合材料中氧化的方法。该方法包括用第一化学气相渗入(CVI)法将第一部分碳化硅(SiC)基体沉积(130)在至少一部分制品上，用第二CVI法将掺硅(Si)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SiC基体内，和用第三CVI法将第二部分SiC基体沉积(150)在第一部分SiC基体的至少一部分或其延续部分内。 | ||
| 申请公布号 | CN1966467B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200610138851.8 | 申请日期 | 2006.09.07 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | A·S·法里德;N·S·米拉 |
| 分类号 | C04B35/80(2006.01)I;C04B35/83(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 吕彩霞;李炳爱 |
| 主权项 | 一种减少陶瓷复合材料氧化的方法，所述方法包括：在至少一部分制品上沉积热解碳层；使用第一化学气相渗入(CVI)法，将第一部分碳化硅(SiC)基体沉积(130)在至少一部分制品上；使用第二CVI法，将掺硅(Si)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SiC基体内，所述掺硅(Si)氮化硼(BN)层基本均匀地围绕碳纤维或碳纤维束沉积；使用第三CVI法，将第二部分SiC基体沉积(150)在第一部分SiC基体的至少一部分或其延续部分内。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||