发明名称 PROBE POLISHING METHOD, PROGRAM THEREFOR, AND PROBE APPARATUS
摘要 <p>본 발명은 프로브의 연마 시에 연마 웨이퍼(연마체)의 상면의 이물을 검출하고, 연마체로부터 이물을 확실하게 제거하고, 연마 후에 피검사체의 전기적 특성 검사를 지장없이 실행할 수 있는 프로브의 연마 방법을 제공한다. 본 발명의 프로브의 연마 방법은, 연마 웨이퍼(W')를 버퍼 테이블(20)로부터 탑재대(17)로 반송하는 공정과, 탑재대(17) 상에 탑재된 연마 웨이퍼(W')의 상면의 이물을 검출하는 제 2 공정과, 연마 웨이퍼(W')의 상면에 이물을 검출했을 때에는, 탑재대(17)로부터 웨이퍼 테이블(21)로 연마 웨이퍼(W')를 반송하는 제 3 공정과, 웨이퍼 테이블(21)로부터 연마 웨이퍼(W')를 취출해서 이물(O)을 제거하는 제 4 공정과, 이물(O)을 제거한 연마 웨이퍼(W')를 웨이퍼 테이블(21)로부터 탑재대(17) 위로 반송하고, 연마 웨이퍼(W')에 의해 복수의 프로브(18A)의 침 끝을 연마하는 제 5 공정을 구비하고 있다.</p>
申请公布号 KR101208773(B1) 申请公布日期 2012.12.05
申请号 KR20090077701 申请日期 2009.08.21
申请人 发明人
分类号 G01R1/067;H01L21/66 主分类号 G01R1/067
代理机构 代理人
主权项
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