发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种发光器件,包括:衬底上的薄膜晶体管;薄膜晶体管上的氢化膜,其中该氢化膜具有开口;氢化膜上的电极,该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触;形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜,其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口;形成在层间绝缘膜上的像素电极,该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触;覆盖像素电极的外围部分的堤,其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠;和像素电极上的发光层。 |
申请公布号 |
CN102226997B |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201110161168.7 |
申请日期 |
2005.05.13 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;大沼英人;纳光明;安西彩;乡戶宏充;二村智哉 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底上的基底绝缘膜;所述基底绝缘膜上的薄膜晶体管;所述薄膜晶体管上的氢化膜,其中所述氢化膜具有开口;所述氢化膜上的电极,该电极通过所述氢化膜的接触孔与所述薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触;形成在所述电极和所述氢化膜上的层间绝缘膜,其中该层间绝缘膜覆盖所述氢化膜的开口;形成在所述层间绝缘膜上的像素电极,该像素电极通过所述层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触;覆盖所述像素电极的外围部分的堤,其中所述像素电极的未被所述堤覆盖的部分与所述氢化膜的开口重叠;和所述像素电极上的发光层,其中所述层间绝缘膜与所述基底绝缘膜的顶面相接触。 |
地址 |
日本神奈川 |