发明名称 | 溅镀装置 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种溅镀装置,能够使高密度的等离子体高效地产生于溅镀靶表面,从而能够高速度成膜。并且,本发明的目的在于提供一种构造简单且溅镀靶的装卸及保养检查等较为容易的大面积溅镀装置及等离子体处理装置。本发明的溅镀装置是在真空容器的一部分安装有感应耦合型天线导体板的溅镀装置,其中;将溅镀靶板安装于上述感应耦合型天线导体的等离子体形成空间侧,将上述天线导体的一侧的瑞部连接至高频电源,且经由电容器而使相对置的另一侧的端部接地。另外,一并设置多个天线导体而构成大面积溅镀装置。 | ||
申请公布号 | CN102812153A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
申请号 | CN201180011521.1 | 申请日期 | 2011.03.08 |
申请人 | EMD株式会社 | 发明人 | 江部明宪;渡边正则 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 樊建中 |
主权项 | 一种溅镀装置,其特征在于,具备:a)真空容器;b)高频天线导体板,其是以封住设于所述真空容器的顶板的开口部的方式而设置的导体板,能够将溅镀靶板安装在所述真空容器内侧的表面;c)基板支撑台,其设置于所述真空容器内;d)排气单元,其排出所述真空容器内的气体;e)气体导入单元,其向所述真空容器内导入工艺气体。 | ||
地址 | 日本国滋贺县 |