| 发明名称 | 具有两级掺杂的太阳能电池的制作方法 | ||
| 摘要 | 具有两级掺杂(88，89)的太阳能电池的制造方法，包括：在太阳能电池基底(80)的表面的至少一部分上形成一氧化物层(82)，该氧化物层可被一种第一掺杂物所穿过；通过除去在至少一个高掺杂区(88)中的氧化物层(82)，在该高掺杂区(88)中的氧化物层(82)上形成(16；50)一个开口；通过所述开口把第一掺杂物扩散到太阳能电池基底(80)的所述至少一个高掺杂区(88)中；通过所述氧化物层(82)把第一掺杂物扩散(28)到所述太阳能电池基底(80)中；其中通过所述开口和通过所述氧化物层(82)的扩散是在一个共同的扩散步骤(28)中同时进行的，且所述太阳能电池基底在所述共同的扩散步骤(28)中在一种至少部分的亲水状态下受到扩散(28)。 | ||
| 申请公布号 | CN102812565A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200980154109.8 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 森特瑟姆光伏股份有限公司 | 发明人 | 艾恩豪·艾斯特罗-布里顿;马蒂亚斯·盖格;史蒂芬·科勒尔;莱因赫德·舒勒索尔;凯瑟琳·沃伊尔;约翰内斯·迈尔;马丁·布里赛尔格;阿道夫·闵塞尔;托比亚斯·弗里斯;蒂诺·库恩 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 具有两级掺杂(88，89)的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：在一个太阳能电池基底(80)的表面的至少一部分上形成(14，48)一个氧化物层(82)，该氧化物层可被一种第一掺杂物穿过；通过除去(16；50)在至少一个高掺杂区(88)中的氧化物层(82)，在该高掺杂区(88)中的氧化物层(82)上形成(16；50)一个开口；通过所述开口把所述第一掺杂物扩散(28)到太阳能电池基底(80)的所述至少一个高掺杂区(88)中；通过所述氧化物层(82)把所述第一掺杂物扩散(28)到所述太阳能电池基底(80)中；其中通过所述开口和通过所述氧化物层(82)的扩散(28)是在一个共同的扩散步骤(28)中同时进行的，且所述太阳能电池基底(80)在所述共同的扩散步骤(28)中在一种至少部分的亲水状态下受到扩散(28)。 | ||
| 地址 | 德国布劳博伊伦 | ||