| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有浅槽隔离区及位于所述浅槽隔离区之外区域上的垫氧化层；对所述垫氧化层进行部分漂洗，以使漂洗后剩余垫氧化层的厚度满足预设要求。本发明所提供的半导体器件制造方法，在STI工艺后，对基底上的垫氧化层进行部分漂洗，且使得漂洗后剩余垫氧化层的厚度满足预设要求，因此，该方法相对现有技术来说，减少了对垫氧化层进行漂洗的时间，且节省了清洗基底及在基底上生长氧化层的工艺步骤，这一方面可避免器件上的倒三角形尖角被撑大，进而避免器件“尖峰效应”的产生；另一方面可节约生产成本，缩短生产时间，提高产量。 | ||
| 申请公布号 | CN102810503A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201110148152.2 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 金宏峰;张磊;王德进 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有浅槽隔离区及位于所述浅槽隔离区之外区域上的垫氧化层；对所述垫氧化层进行部分漂洗，以使漂洗后剩余垫氧化层的厚度满足预设要求。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||