一种磁记录磁性薄膜的制备方法

摘要

一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜的制备方法，涉及磁记录、信息存储和再现信息记录等技术领域，在清洗后的单晶硅片的背面放置永磁体，当磁溅射室内的背底真空度为3×10-5~8×10-5Pa、氩气气压为0.7~0.9Pa时开始进行CoFePtC磁溅射，在单晶硅片的正面形成Co1-x-yFexPtCy沉积薄膜，然后将单晶硅片放入真空退火炉中进行热处理，形成厚度为300~800nm的薄膜。本发明添加掺杂原子Fe和间隙原子C，有效提高和控制了薄膜在垂直方向的磁晶各向异性，使薄膜具有垂直取向度高、矫顽力大和化学稳定性好等特点。

主权项

一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜的制备方法，其特征在于：在清洗后的单晶硅片的背面放置表面磁场强度为0.5～1T的永磁体，当磁溅射室内的背底真空度为3×10‑5～8×10‑5 Pa、氩气气压为0.7～0.9Pa时开始进行CoFePtC磁溅射，在单晶硅片的正面形成Co1‑x‑yFexPtCy沉积薄膜，然后将单晶硅片放入真空退火炉中进行热处理。