| 发明名称 | 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al0.65Ga0.35N层、i型Al0.45Ga0.55N层、p型Al0.45Ga0.55N层和n型Al0.45Ga0.55N层，在所述n型Al0.45Ga0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al0.65Ga0.35N层上设置有第二上电极。本发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信号增益，提高器件的响应率。 | ||
| 申请公布号 | CN101640227B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN200910306624.5 | 申请日期 | 2009.09.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 白云;麻芃;刘键;朱杰;饶志鹏;刘新宇 |
| 分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器，其特征在于，包括蓝宝石衬底(101)，以及在所述蓝宝石衬底(101)上依次排列生长的AlN缓冲层(102)、n型Al0.65Ga0.35N层(103)、i型Al0.45Ga0.55N层(104)、p型Al0.45Ga0.55N层(105)和n型Al0.45Ga0.55N层(106)，在所述n型Al0.45Ga0.55N层(106)上设置有第一上电极(107)，在所述n型Al0.65Ga0.35N层(103)上设置有第二上电极(108)，所述AlN缓冲层(102)的厚度为100纳米～300纳米，所述n型Al0.65Ga0.35N层(103)的厚度为700纳米～1000纳米，所述i型Al0.45Ga0.55N层(104)的厚度为150纳米～250纳米，所述p型Al0.45Ga0.55N层(105)的厚度为100纳米～150纳米，所述n型Al0.45Ga0.55N层(106)的厚度为300纳米～500纳米。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||