一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法

摘要

本发明涉及太阳能电池片的加工，具体的说本发明是一种晶体硅太阳能电池片等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)彩虹片返工方法，即等离子体增强化学气相沉积法制备晶体硅太阳能电池片中因放电异常导致的表面有彩虹膜层的电池片的清洗处理方法，经过该方法处理后的电池片进行重新镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。

主权项

一种晶体硅太阳能电池PECVD彩虹片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤： A.用HF清洗液清洗晶体硅太阳能电池片，所述HF清洗液由HF与纯水按照12:100的体积比例配制； B. 用高效清洗液针对性清洗晶体硅太阳能电池片上残存的彩虹状膜，所述高效清洗液由H2O：HF：HNO3按照60:100:1的体积比例配制；C.用HCl清洗液清洗晶体硅太阳能电池片。