发明名称 具有反相Hk结构的垂直磁记录介质
摘要 本发明涉及具有反相Hk结构的垂直磁记录介质。根据一个实施方式,垂直磁记录介质包含特征为磁各向异性Ku1的第一粒状记录层、在该第一粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku2的第二粒状记录层和在该第二粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku3的第三粒状记录层,其中Ku3<Ku2>Ku1。在另一实施方式中,磁介质包含具有处于第一比率X1的第一CoCrPt合金的第一记录层、在该第一记录层上并具有处于第二比率X2的第二CoCrPt合金的第二记录层和在该第二记录层上具有处于第三比率X3的第三CoCrPt合金的第三记录层,各比率定义为各CoCrPt合金中Pt的浓度除以Cr的浓度,其中X3<X2>X1。
申请公布号 CN102810320A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201210177713.6 申请日期 2012.05.31
申请人 日立环球储存科技荷兰有限公司 发明人 殿冈俊;棚桥究;中川宏之;玉井一郎
分类号 G11B5/66(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 杨海荣;穆德骏
主权项 一种垂直磁记录介质,包含:具有磁各向异性(Ku1)的第一粒状记录层;在所述第一粒状记录层之上的第二粒状记录层,所述第二粒状记录层具有磁各向异性(Ku2);和在所述第二粒状记录层之上的第三粒状记录层,所述第三粒状记录层具有磁各向异性(Ku3),其中Ku3<Ku2>Ku1。
地址 荷兰阿姆斯特丹