分裂基板的方法

摘要

本发明涉及一种用于分裂半导体基板的工艺，该半导体基板在其外围上具有识别切口(4)，所述工艺包括以下步骤：(a)在所述基板中创建弱化区；(b)沿所述弱化区分裂所述基板，所述分裂步骤包括：在所述基板的外围上的预定扇区(R)中发起分裂波，随后将所述波传播至所述基板中，所述工艺的特征在于：-步骤(a)中所创建的所述弱化区是通过向所述基板注入原子种类而获得的，在注入期间所述基板的外围的一部分被紧固装置(5)保持在适当位置，-所述工艺的特征在于，在分裂步骤(b)期间，所述一部分设置在分裂波起始扇区(R)中，并且所述工艺的特征在于，在步骤(b)期间，所述切口(4)被定位为使其位于所述基板的外围的与所述扇区(R)沿直径相对的四分之一部分(S1)中以发起所述分裂波或者位于所述基板的外围的集中于所述扇区(R)的四分之一部分(S2)中。

主权项

一种用于分裂半导体基板的工艺，该半导体基板在其外围上具有识别切口（4），所述工艺包括以下步骤：（a）在所述基板中创建弱化区；（b）沿所述弱化区分裂所述基板，所述分裂步骤包括：在所述基板的外围上的预定扇区（R）中发起分裂波，随后将所述波传播至所述基板中，所述工艺的特征在于：‑步骤（a）中所创建的所述弱化区是通过向所述基板注入原子种类而获得的，在注入期间所述基板的外围的一部分被紧固装置（5）保持在适当位置，‑所述工艺的特征在于，在分裂步骤（b）期间，所述一部分设置在分裂波起始扇区（R）中，并且所述工艺的特征在于，在步骤（b）期间，所述切口（4）被定位为使其位于所述基板的外围的与所述扇区（R）沿直径相对的四分之一部分（S1）中以发起所述分裂波或者位于所述基板的外围的集中于所述扇区（R）的四分之一部分（S2）中。