| 发明名称 |
铟离子产生装置和方法 |
| 摘要 |
本发明提供了一种铟离子产生装置，包括：坩埚，用于盛放固态含铟化合物；热源，用于加热所述坩埚，气化所述固态含铟化合物得到含铟化合物蒸气；电弧室，用于使含铟化合物蒸气电离产生等离子体；向所述电弧室通入稀释气体的充气装置。本发明的有益效果是：通过向电弧室中充入稀释气体，利用荷转过程增加了铟离子化的速度和转化率。 |
| 申请公布号 |
CN102808162A |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
| 申请号 |
CN201110144533.3 |
申请日期 |
2011.05.31 |
| 申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
张伟 |
| 分类号 |
C23C14/48(2006.01)I;C22B58/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种铟离子产生装置，包括：坩埚，用于盛放固态含铟化合物；热源，用于加热所述坩埚，气化所述固态含铟化合物得到含铟化合物蒸气；电弧室，用于使含铟化合物蒸气电离产生等离子体；其特征在于，还包括向所述电弧室通入稀释气体的充气装置。 |
| 地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |
