形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构

摘要

本发明提供一种形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构，包括高侧和低侧功率开关管，高侧功率开关管的输出极与低侧功率开关管的输入极相连接并一起引出形成输出端口；其中，高侧功率开关管中的P型体区与绝缘体上硅下层的埋氧化层相接触，在高侧和低侧功率开关管之间形成自隔离，将两者绝缘间隔开。本发明在高压半桥结构的高侧和低侧功率开关管之间利用高侧功率开关管中的P型体区使两者形成自隔离，而无需再以沟槽填充氧化物隔离。由于节省了两个功率管之间的隔离面积，因此可以简化制造工艺、降低芯片占用面积而提升半桥结构的功率开关管的有效使用面积，节约生产成本。

主权项

一种形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构，包括高侧和低侧功率开关管，所述高侧功率开关管的输出极与所述低侧功率开关管的输入极相连接并一起引出形成输出端口；其中，在所述绝缘体上硅下层的埋氧化层上与该埋氧化层接触地形成有N型线性漂移区域，所述高侧功率开关管中的P型体区与所述绝缘体上硅下层的所述埋氧化层相接触，且所述高侧功率开关管中的所述P型体区将所述高侧功率开关管中的N型线性漂移区域和所述低侧功率开关管中的N型线性漂移区域正好间隔开，从而在所述高侧和低侧功率开关管之间形成自隔离，将两者绝缘间隔开。