ZnO基发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO基发光二极管及其制备方法。一种ZnO基发光二极管，包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xCdxO层(4)、由Zn1-yCdyO层和ZnO层交替形成的多层Zn1-yCdyO/ZnO多量子阱结构层、Al和N共掺杂的P型Zn1-zCdzO层(6)、Al和N共掺杂的P型ZnO层(7)、ZnO电流扩展层(8)；负电极(9)置于n型Zn1-xCdxO层上，正电极(10)置于ZnO电流扩展层(8)上。本发明通过在ZnO材料掺杂Al和N元素，可以有效改善ZnO薄膜的p型特性，制备发光效率高的ZnO发光二极管。

主权项

ZnO基发光二极管，其特征在于包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1‑xCdxO层(4)、由Zn1‑yCdyO层和ZnO层交替形成的多层Zn1‑yCdyO/ZnO多量子阱结构层、Al和N共掺杂的P型Zn1‑zCdzO层(6)、Al和N共掺杂的P型ZnO层(7)、ZnO电流扩展层(8)；负电极(9)置于n型Zn1‑xCdxO层(4)上，正电极(10)置于ZnO电流扩展层(8)上，n型Zn1‑xCdxO层(4)沉积在n型ZnO接触层(3)，ZnO电流扩展层(8)沉积在P型ZnO接触层(7)上；其中，0＜x≤0.5，0＜y≤0.5，0＜z≤0.5。