H桥和半H桥通用电路模块

摘要

本实用新型公开了一种H桥和半H桥通用电路模块，它包括四个可控功率半导体器件、四个二极管、三个双向可控开关、一个单刀双掷开关和两个电解电容；双向可控开关可以为双向可控硅、电磁继电器等；可控功率半导体器件可以为IGBT、MOSFET、SCR等；本实用新型H桥和半H桥通用电路模块既能作为H桥工作，又能作为半H桥工作，几乎适用于所有的级联型多电平电力电子设备。H桥和半H桥的转换不需要改接线，只需要改变一位控制开关量就能实现，非常方便，非常适用于既能级联H桥，又能级联半H桥的电力电子设备。

主权项

一种H桥和半H桥通用电路模块，其特征在于，它包括四个可控功率半导体器件、四个二极管、三个双向可控开关、一个单刀双掷开关和两个电解电容；双向可控开关为双向可控硅或电磁继电器；可控功率半导体器件为IGBT、MOSFET或SCR；所述可控功率半导体器件为IGBT，所述四个二极管（D1~D4）分别反并联在四个IGBT（T1~T4）的集电极和发射极之间，第一IGBT（T1）的发射极和第二IGBT（T2）的集电极相连，第三IGBT（T3）的发射极和第四IGBT（T4）的集电极相连，第一IGBT（T1）的集电极和第一电解电容（C1）的正极相连，第二IGBT（T2）的发射极和第一电解电容（C1）的负极相连，第三IGBT（T3）的集电极和第二电解电容（C2）的正极相连，第四IGBT（T4）的发射极和第二电解电容（C2）的负极相连，第一双向可控开关（S1）的两端分别和第一IGBT（T1）的集电极和第三IGBT（T3）的集电极相连，第二双向可控开关（S2）的两端分别和第二IGBT（T2）的发射极和第四IGBT（T4）的发射极相连，第三双向可控开关（S3）的两端分别和第二IGBT（T2）的发射极和第四IGBT（T4）的集电极相连，单刀双掷开关（K1）第一开关触点（Ka）和第四IGBT（T4）的集电极相连，第二开关触点（Kb）和第四IGBT（T4）的发射极相连，第一IGBT（T1）的发射极作为第一输出端子（A），单刀双掷开关K1的刀片作为第二输出端子（B）。