| 发明名称 | 光刻胶图形的修正方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻胶图形的修正方法，包括：建立光刻胶图形暴露出衬底的面积与衬底面积的比率、光刻胶图形ADI-CD和刻蚀修正时间关系的数据库；提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层表面形成光刻胶图形；根据所述光刻胶图形暴露出衬底的面积与衬底面积的比率和所述光刻胶图形ADI-CD，从数据库中选择刻蚀修正时间，采用所述刻蚀修正时间对所述光刻胶图形进行刻蚀修正。本发明提供的修正后的光刻胶图形形成的沟槽刻蚀偏差小，效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN102129168B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201010022719.7 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 符雅丽;张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | G03F1/72(2012.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/72(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种光刻胶图形的修正方法，包括：根据刻蚀偏差与光刻胶图形暴露出衬底的面积与衬底面积的比率的关系式为y=0.0017x‑0.0465、实验模拟或实际工艺制作，建立光刻胶图形暴露出衬底的面积与衬底面积的比率、光刻胶图形ADI‑CD和刻蚀修正时间关系的数据库；提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层表面形成光刻胶图形；根据所述光刻胶图形暴露出衬底的面积与衬底面积的比率和所述光刻胶图形ADI‑CD，从数据库中选择刻蚀修正时间，采用所述刻蚀修正时间对所述光刻胶图形进行刻蚀修正。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||