发明名称 | 钍射气室及其使用方法 | ||
摘要 | 公开了一种钍射气室(100)及其使用方法,所述钍射气室(100)包括:有效体积为0.25-0.35m3的长方体保温密闭箱体(10);在所述长方体密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。 | ||
申请公布号 | CN102176049B | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
申请号 | CN201110044971.2 | 申请日期 | 2011.02.24 |
申请人 | 上海市计量测试技术研究院 | 发明人 | 唐方东;卓维海;何林锋;赵超 |
分类号 | G01T7/00(2006.01)I | 主分类号 | G01T7/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
主权项 | 一种钍射气室(100),它包括:由所述钍射气室箱体内壁所包围的空间体积为0.25‑0.35m3的长方体保温密闭箱体(10),所述密闭箱体可在0.1‑10小时内维持所需的湿度和温度,使之变化值为5%或更小;在所述长方体保温密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体保温密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张衡路1500号 |