发明名称 钍射气室及其使用方法
摘要 公开了一种钍射气室(100)及其使用方法,所述钍射气室(100)包括:有效体积为0.25-0.35m3的长方体保温密闭箱体(10);在所述长方体密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。
申请公布号 CN102176049B 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201110044971.2 申请日期 2011.02.24
申请人 上海市计量测试技术研究院 发明人 唐方东;卓维海;何林锋;赵超
分类号 G01T7/00(2006.01)I 主分类号 G01T7/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 朱黎明
主权项 一种钍射气室(100),它包括:由所述钍射气室箱体内壁所包围的空间体积为0.25‑0.35m3的长方体保温密闭箱体(10),所述密闭箱体可在0.1‑10小时内维持所需的湿度和温度,使之变化值为5%或更小;在所述长方体保温密闭箱体(10)内的一层或多层可上下调节的网格支架(20);置于所述网格支架(20)上的含232Th放射源的220Rn发生装置(30),以及置于所述长方体保温密闭箱体(10)内所述可上下调节的网格支架(20)上方的强制气体扩散装置(40)。
地址 201203 上海市浦东新区张衡路1500号