METAL GATE TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUITS, SYSTEMS, AND FABRICATION METHODS THEREOF
摘要
<p>금속 게이트 트랜지스터 형성을 위한 후게이트 방법이 개시된다. 본 방법은 기판 위의 유전 물질안에 개구부를 형성하는 단계를 포함한다. 게이트 유전 구조는 상기 기판 및 상기 개구부 내에 형성된다. 일함수 금속층은 상기 게이트 유전 구조 및 상기 개구부 내에 형성된다. 실리사이드 구조는 상기 일함수 금속층 위에 형성된다.</p>
