微晶矽薄膜电晶体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种上闸极式微晶矽薄膜电晶体及其制造方法，其反转通道系形成于其微晶矽主动层上方介面，而与该微晶矽主动层下方介面的孕核层分开。本发明之该反转通道形成在该微晶矽主动层上方介面结晶性薄膜中，因而使本发明微晶矽薄膜电晶体具有较好的电性及可靠度。

主权项

一种微晶矽薄膜电晶体结构，其包括：一基板；一对源极/汲极电极，系位于该基板上方；一具第一导电性掺质微晶矽层，系分别位于每一该源极/汲极电极上方；一微晶矽层，系位于该具第一导电性掺质微晶矽层上方；一绝缘层，系位于该微晶矽层上方；及一上闸极电极，系位于该对源极/汲极电极之间的该绝缘层上方；其中该对源极/汲极电极之间该微晶矽层与该绝缘层介面具有一通道区。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中更包含一缓冲层介于该基板与该对源极/汲极电极之间。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该基板包含金属基板、玻璃基板或塑胶基板。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该具第一导电性掺质微晶矽层系一n+型掺质微晶矽层或一p+型掺质微晶矽层。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该绝缘层包含氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiNxOy)。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该对源极/汲极电极为金属电极。如申请专利范围第1项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该上闸极电极为金属闸极。如申请专利范围第2项所述之微晶矽薄膜电晶体结构，其中该缓冲层包含氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiNxOy)。一种微晶矽薄膜电晶体之制造方法，其包括：提供一基板；形成一对源极/汲极电极于该基板上方；形成一对具第一导电性掺质微晶矽层分别于一该源极/汲极电极上；形成一微晶矽层于该对具第一导电性掺质微晶矽层上方；形成一绝缘层于该微晶矽层上方；及形成一上闸极电极于该对源极/汲极电极之间的该绝缘层上方。如申请专利范围第9项所述之微晶矽薄膜电晶体之制造方法，其中在该对源极/汲极电极形成之前更包含形成一缓冲层于该基板上。如申请专利范围第9项所述之微晶矽薄膜电晶体之制造方法，其中该对具第一导电性掺质微晶矽层为n+型掺质微晶矽层或p+型掺质微晶矽层。如申请专利范围第11项所述之微晶矽薄膜电晶体之制造方法，其中在形成该对具第一导电性掺质微晶矽层之制程中加入PH3气体或B2H6气体。