| 主权项 |
一种晶圆切割方法，至少包含：提供一晶圆，其中该晶圆具有一第一表面以及与该第一表面相对之一第二表面，该第一表面包含有一元件区与环绕该元件区之一空白区，且该元件区上形成有复数个半导体元件，该第一表面具有复数条切割线(Scribe Line)，用以界定该晶圆上的复数个晶粒；提供一无黏性薄膜覆盖在该元件区上；提供一黏性薄膜，以黏贴在该无黏性薄膜和该空白区上；自该第二表面相对于该第一表面上之每一该些切割线垂直地切割该晶圆至一参考点，以形成复数条切割道，其中该参考点距离该第一表面有一预设距离；以及沿着每一该些切割道自该参考点进行一晶圆切断步骤(Singulation)，以切断该晶圆。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该些半导体元件为复数个影像感测元件。如申请专利范围第2项所述之晶圆切割方法，其中该些影像感测元件为互补式金氧半导体元件(CMOS)。如申请专利范围第2项所述之晶圆切割方法，其中该些影像感测元件为电荷耦合元件(CCD)。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中形成该无黏性薄膜的材料包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该无黏性薄膜之厚度系实质介于8μm与10μm之间。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该黏性薄膜为切割胶带(Sawing Tape)。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该黏性薄膜为紫外线照射胶带(UV Tape)。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该晶圆切断步骤至少包含：使用一裂片刀以裂片方式自该参考点来裂断该晶圆。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，更至少包含：移除该黏性薄膜以及该无黏性薄膜。如申请专利范围第1项所述之晶圆切割方法，其中该预设距离系实质介于2与6密耳(Mils)之间。一种晶圆切割方法，至少包含：提供一晶圆，其中该晶圆系具有一第一表面以及与该第一表面相对之一第二表面，该第一表面包含有一元件区与环绕该元件区之一空白区，且该元件区上形成有复数个影像感测元件，该第一表面具有复数条切割线，用以界定该晶圆上的复数个晶粒；提供一聚对苯二甲酸乙二酯薄膜覆盖在该元件区上；提供一紫外线照射胶带，以黏贴在该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜和该空白区；自该第二表面相对于该第一表面上之每一该些切割线垂直地切割该晶圆至一参考点，以形成复数条切割道，其中该参考点距离该第一表面有一预设距离；以及沿着每一该些切割道自该参考点进行一晶圆切断步骤以切断该晶圆。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，其中该些影像感测元件为互补式金氧半导体元件。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，其中该些影像感测元件为电荷耦合元件。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，其中该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜的厚度系实质介于8μm与10μm之间。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，其中该晶圆切断步骤至少包含：使用一裂片刀以裂片方式自该参考点来裂断该晶圆。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，更至少包含：移除该紫外线照射胶带以及该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。如申请专利范围第12项所述之晶圆切割方法，其中该预设距离系实质介于2与6密耳之间。 |
