低表面缺陷密度之磊晶基板

摘要

一种低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶层及复数阻挡块，该第一磊晶层侧向磊晶于该基材上且与该基材晶格不匹配，包括复数缺陷处、复数分别相对位于该等缺陷处顶端的第一凹洞，及一围绕界定该等第一凹洞的磊晶层表面，该等第一凹洞是藉由湿式蚀刻剂对该第一磊晶层进行缺陷选择性蚀刻形成，该等第一凹洞的孔径宽度大小相近，该等阻挡块移除速率不同于该第一磊晶层，该等阻挡块分别填于每一第一凹洞中，以阻挡缺陷继续延伸，且该等阻挡块与该磊晶层表面共同定义出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品质。

主权项

一种低表面缺陷密度之磊晶基板，包含：一基材；一第一磊晶层，侧向磊晶于该基材上，该第一磊晶层与该基材晶格不匹配，包括一磊晶层表面、复数缺陷处，及复数分别相对位于该等缺陷处顶端且形成于该磊晶层表面的第一凹洞，该等第一凹洞是藉由湿式蚀刻剂对该第一磊晶层进行缺陷选择性蚀刻形成，该等第一凹洞的孔径宽度大小相近；及复数阻挡块，移除速率不同于该第一磊晶层，该等阻挡块分别填于每一第一凹洞中，且该等阻挡块与该磊晶层表面共同定义出一完整且平坦的磊晶基面。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该基材为图样化，包括一基材表面，及复数形成于该基材表面的基材凹洞，该第一磊晶层的缺陷处对应形成于该基材表面上方，该第一磊晶层对应该等基材凹洞的缺陷密度较低。依据申请专利范围第2项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等基材凹洞呈阵列分布，且该等基材凹洞平均孔径为1μm~5μm，平均深度大于等于孔径宽度的五分之一。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该基材为图样化，包括一基材表面，及复数自该基材表面向上凸出的基材凸柱，该第一磊晶层的缺陷处对应形成于该基材表面上方，该第一磊晶层对应该等基材凸柱的缺陷密度较低。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该第一磊晶层的材料为氮化镓，且该等第一凹洞是选用磷酸作为湿式蚀刻剂蚀刻该第一磊晶层形成。依据申请专利范围第5项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等第一凹洞的平均深度大于0.2μm。依据申请专利范围第5项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等第一凹洞的平均孔径为1μm~6μm。依据申请专利范围第7项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等第一凹洞的平均孔径为2μm~4μm。依据申请专利范围第8项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等第一凹洞的平均孔径为3μm。依据申请专利范围第9项所述之低表面缺陷密度之磊晶、基板，其中，该等第一凹洞的平均深度标准差为0.13μm。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该等第一凹洞针对缺陷处为单一式差排时形成于该缺陷处顶端。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，其中，该磊晶基面是经由化学机械研磨法制成。依据申请专利范围第1项所述之低表面缺陷密度之磊晶基板，更包含一自该磊晶基面向上磊晶形成的第二磊晶层，且该第二磊晶层表面缺陷密度低于该第一磊晶层表面缺陷密度。