驻电振膜制造方法

摘要

本发明提供一种驻电振膜之制造方法，其包含下列步骤。首先，将一介电质薄膜藉由一胶材贴附在一框架上，并将一固定件抓附在介电质薄膜上表面的周缘以及框架上。接着，对介电质薄膜进行金属溅镀处理，以形成一导电材料层。最后，对介电质薄膜进行极化处理，藉以制成一驻电振膜。

主权项

一种驻电振膜之制造方法，包含：提供一框架，该框架具有一上表面与一下表面；于该框架之上表面涂布一胶材；将一介电质薄膜贴附于该框架上表面的胶材上，其中该介电质薄膜具有一上表面及一下表面；将一夹持治具夹在该介电质薄膜上表面的周缘以及该框架上；当夹持治具夹持在该介电质薄膜的边缘以及该框架上时，于该介电质薄膜的上表面形成一导电材料层；及对该介电质薄膜进行极化处理。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于该介电质薄膜的上表面形成一导电材料层之步骤包含：对该介电质薄膜的上表面进行电浆处理；及以溅镀之方式于该介电质薄膜的上表面形成该导电材料层。如申请专利范围第2项所述之方法，其中对该介电质薄膜的上表面进行电浆处理之步骤包含：以100至1000瓦的氧电浆或氩电浆对该介电质薄膜的上表面进行10至120秒的处理。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该介电质薄膜的厚度为1至50μm。如申请专利范围第2项所述之方法，其中所使用的溅镀电压为400V至1500V。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该导电材料层之厚度系介于0.01至1μm。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该导电材料层系为铝层，于该介电质薄膜上溅镀沈积之速率为每秒1至20埃。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该导电材料层系为金层，于该介电质薄膜上溅镀沈积之速率为每秒0.1至5埃。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该介电质薄膜与溅镀之靶源相距10至30公分。如申请专利范围第2项所述之方法，其中以溅镀之方式于该介电质薄膜的上表面形成该导电材料层之步骤包含：对该介电质薄膜进行连续10秒至60秒的溅镀后，停止对该薄膜进行溅镀以冷却该介电质薄膜。如申请专利范围第10项所述之方法，其中以溅镀之方式于该介电质薄膜的上表面形成该导电材料层之步骤更包含：停止对该介电质薄膜进行溅镀后10至60秒，开始再对该薄膜进行溅镀。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于该介电质薄膜的上表面形成一导电材料层之步骤更包含：将该框架置于一第一输送带上；藉由该第一输送带将该框架输送至一金属溅镀设备中；及于该金属溅镀设备中，以溅镀之方式于该介电质薄膜的上表面形成该导电材料层。如申请专利范围第12项所述之方法，其中于该介电质薄膜的上表面形成一导电材料层之步骤更包含：于形成该导电材料层后，藉由该第一输送带将该框架送离该金属溅镀设备。如申请专利范围第13项所述之方法，更包含：当该第一输送带将该框架送离该金属溅镀设备后，由该第一输送带上取下该框架；及将该框架翻面，使该介电质薄膜之下表面朝上，以对该介电质薄膜进行极化处理。如申请专利范围第14项所述之方法，其中对该介电质薄膜进行极化处理之步骤包含：当该框架翻面后，将该框架置于一第二输送带上；藉由该第二输送带将该框架输送至一充电设备中；及于该充电设备中，以电晕充电法对该介电质薄膜进行极化处理。如申请专利范围第15项所述之方法，其中对该介电质薄膜进行极化处理之步骤包含：以电晕充电法对该介电质薄膜进行极化处理，所使用的电压为10kV至20kV，电流为0.01mA至1mA。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该介电质薄膜的下表面与该电晕充电法所使用的电极之间的距离为2至20公分。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该夹持治具系为一U形夹持治具。如申请专利范围第2项所述之方法，其中对该介电质薄膜的上表面进行电浆处理之步骤包含：以800瓦的氧电浆或氩电浆对该介电质薄膜的上表面进行20秒的处理。