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一种含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其步骤包括：(1)于一基板上形成复数个含氮化镓岛状体；(2)以该些含氮化镓岛状体当遮罩蚀刻该基板，形成一凹凸基板；(3)于该凹凸基板上以含氮化镓之材料进行磊晶制程；及(4)移除该凹凸基板，以得到一含有氮化镓之单晶基板。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(1)中该基板置入有机金属化学气相沉积反应腔中在温度500~600℃、压力450~600 torr和五三比(V/III ratio)500~5000的条件下成长1~5分钟，形成复数个含氮化镓岛状体。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(1)中该基板之材料系选自蓝宝石、氧化镁、氧化锌、矽、碳化矽及砷化镓所组成之群组之其中之一者。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(1)中该些含氮化镓岛状体之材料系选自氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓及氮化铝铟镓所组成之群组之其中之一者。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(1)中该些含氮化镓岛状体之厚度为0.05~2μm。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(2)以该些含氮化镓岛状体当遮罩，并利用感应耦合电浆离子蚀刻该基板形成一凹凸基板。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(3)中该含氮化镓之材料系选自氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓及氮化铝铟镓所组成之群组之其中之一者。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(3)中该凹凸基板及其上之该些氮化镓岛状体置入有机金属化学气相沉积反应腔中成长氮化镓，使得该氮化镓岛状体接合，形成一氮化镓连续薄膜。如申请专利范围第8项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(4)中利用该凹凸基板与该氮化镓连续薄膜之间的空气洞当作蚀刻脆弱点，并用氢氧化钾蚀刻，使该凹凸基板与该氮化镓连续薄膜分离，即得到一氮化镓之单晶基板。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(4)中该含有氮化镓之单晶基板之材料系选自氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓及氮化铝铟镓所组成之群组之其中之一者。如申请专利范围第1项所述之含有氮化镓之单晶基板之制造方法，其中步骤(4)中该含有氮化镓之单晶基板之厚度为1~1000μm。 |
