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一种半导体封装结构，系包括：封装件，包括具有置晶垫和复数焊指垫之导线架、接置于该置晶垫上之半导体晶片、电性连接该半导体晶片和该焊指垫之焊线、以及包覆该导线架、半导体晶片以及焊线之封装胶体，且该封装胶体外露出该置晶垫和复数焊指垫之分别未接置半导体晶片和焊线的表面；绝缘层，系形成于该置晶垫之未接置半导体晶片的表面上，且该绝缘层中形成有复数开孔，以露出部份之置晶垫表面；以及复数导电元件，系对应形成于各该绝缘层之开孔中之置晶垫及外露之各该焊指垫上。如申请专利范围第1项之半导体封装结构，复包括黏着层，系形成于该置晶垫与半导体晶片之间。如申请专利范围第1项之半导体封装结构，其中，该绝缘层系为感光性材料。如申请专利范围第1项之半导体封装结构，其中，该绝缘层系为非感光性材料。如申请专利范围第4项之半导体封装结构，其中，该绝缘层系为防焊层。如申请专利范围第1项之半导体封装结构，其中，该导电元件系为锡球。一种半导体封装结构之制法，系包括：提供封装件，该封装件包括具有置晶垫和复数焊指垫之导线架、接置于该置晶垫上之半导体晶片、电性连接该半导体晶片和该焊指垫之焊线、以及包覆该导线架、半导体晶片以及焊线之封装胶体，且该封装胶体外露出该置晶垫和复数焊指垫之分别未接置半导体晶片和焊线的表面系于封装胶体之一表面形成并外露复数焊指垫及至少一置晶垫，且于该封装胶体中嵌埋有设于该置晶垫上之半导体晶片，该半导体晶片并电性连接该些焊指垫；于该置晶垫之未接置半导体晶片的表面上形成绝缘层，且该绝缘层中形成有复数开孔，以露出部份之置晶垫表面；以及于各该绝缘层之开孔中之置晶垫上对应形成导电元件。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，各该焊指垫之未接置焊线的表面上复形成有导电元件。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，该封装件复包括黏着层，系形成于该置晶垫与半导体晶片之间。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层系以印刷或涂布的方式形成于该置晶垫表面。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层系为感光性材料。如申请专利范围第11项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层之开孔系以曝光显影制程形成。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层系为非感光性材料。如申请专利范围第13项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层之开孔系以雷射形成。如申请专利范围第13项之半导体封装结构之制法，其中，该绝缘层系为防焊层。如申请专利范围第7项之半导体封装结构之制法，其中，该导电元件系为锡球。 |
