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一种负荷侦测系统，用于侦测一具有电压变化之硬体功能模组之负荷，该负荷侦测系统包括一与该硬体功能模组相连之功能晶片及一与该功能晶片相连之中断控制器，该功能晶片内存储一电压上限值及一电压下限值，该功能晶片用于感测该硬体功能模组之电压讯号，并将该电压讯号与该电压上限值及电压下限值进行比较，以根据比较结果维持该硬体功能模组原有工作状态或者输出一中断讯号给该中断控制器，该中断控制器用于根据该中断讯号相应地改变该硬体功能模组之工作状态；其中该电压上限值等于该硬体功能模组之满载电压值乘以一第一系数，该电压下限值等于该硬体功能模组之满载电压值乘以一不等于该第一系数之第二系数，该硬体功能模组之满载电压值等于该硬体功能模组以其最大额定工作电压工作时，该功能晶片所接收之输入电压值；当该电压讯号大于电压上限值时，该中断控制器提升硬体功能模组之工作频率，当该电压讯号小于电压下限值时，该中断控制器降低硬体功能模组之工作频率，当该电压讯号位于电压上限值与电压下限值之间时，该功能晶片不发送中断讯号至中断控制器。如申请专利范围第1项所述之负荷侦测系统，其还包括一放大器，其连接于该硬体功能模组与功能晶片之间，用于放大该硬体功能模组之电压讯号并将其传送给该功能晶片。如申请专利范围第1项所述之负荷侦测系统，其还包括一升压电路，其连接于该硬体功能模组与功能晶片之间，用于放大该硬体功能模组之电压讯号并将其传送给该功能晶片。如申请专利范围第1项所述之负荷侦测系统，其中该功能晶片为一超级输入输出设备。如申请专利范围第1项所述之负荷侦测系统，其中该第一系数等于0.95至1之间任一值，该第二系数等于0.9到0.95之间任一值。如申请专利范围第5项所述之负荷侦测系统，其中该电压上限值及电压下限值存储于该超级输入输出设备之寄存器内。如申请专利范围第1-6中任一项所述之负荷侦测系统，其中该硬体功能模组为一中央处理器。一种负荷侦测方法，应用于如申请专利范围第1项所述之负荷侦测系统中，该负荷侦测方法包括以下步骤：使该硬体功能模组工作于其额定最大工作电压；记录此时该功能晶片之输入电压值，记为满载电压值；以及将该满载电压值乘以一第一系数即得到该电压上限值，将该满载电压值乘以一第二系数即得到该电压下限值；开启该功能晶片之电压感测功能，以感测该硬体功能模组之输出电压值；该功能晶片将该硬体功能模组之输出电压值与电压上限值及电压下限值进行比较；若该硬体功能模组之输出电压值大于该电压上限值或者小于该电压下限值，该功能晶片发送一中断讯号给该中断控制器，以相应地改变该硬体功能模组之工作状态；以及若该硬体功能模组之输出电压值位于该电压上限值与电压下限值之间，该硬体功能模组维持其原有工作状态。如申请专利范围第8项所述之负荷侦测方法，其中该第一系数等于0.95至1之间任一值，该第二系数等于0.9到0.95之间任一值，且该第一系数不等于该第二系数。如申请专利范围第8项所述之负荷侦测方法，其还包括一放大器，其连接于该硬体功能模组与功能晶片之间，用于放大该硬体功能模组之电压讯号并将其传送给该功能晶片，该步骤“开启该功能晶片之电压感测功能”之后还包括：该放大器放大该硬体功能模组之输出电压讯号并将其传送给该功能晶片。如申请专利范围第8项所述之负荷侦测方法，其中该功能晶片为一超级输入输出设备。如申请专利范围第8-11中任一项所述之负荷侦测方法，其中该硬体功能模组为一中央处理器。 |
