| 主权项 |
一种影像感测器，其具有一像素阵列，该影像感测器包含：形状及表面积彼此相似之多个像素区域之一图案，该等像素区域包括一第一像素区域、一第二像素区域及一第三像素区域，其中该第一像素区域包含共用于该第二像素区域与该第三像素区域之每一者中之光电二极体之间的电组件。如请求项1之影像感测器，其中该第一像素区域不包括一光电二极体。如请求项1之影像感测器，其中该第二像素区域邻近该第三像素区域。如请求项1之影像感测器，其中该复数个相同像素区域分布于复数列及行中。如请求项1之影像感测器，其中该等电组件包含包括一列选择闸、一源极随耦器闸及一重设闸之电晶体。如请求项5之影像感测器，其中该第二像素区域与该第三像素区域中之每一区域均包括一与其中之该光电二极体相关联之传送闸。如请求项1之影像感测器，其中该影像感测器包括一控制器，该控制器经程式化以在与邻近像素区域相关联之色彩之间内插该第一像素区域之一色彩。如请求项1之影像感测器，其进一步包含一第四像素区域及一第五像素区域，其中该等电组件共用于该第二、该第三、该第四及该第五像素区域之间。一种影像感测装置，其包含一规则重复图案之形状及表面积相似之几何相似区域，该等几何相似区域中之复数个区域具有形成于其中之光电二极体，其中该等几何相似区域中之剩余区域其中具有共用于在该复数个几何相似区域中之三个或三个以上邻近光电二极体之间的电组件。如请求项9之影像感测装置，其中该等几何相似区域中之该等剩余区域中之每一者不包括一形成于其中之光电二极体。如请求项9之影像感测装置，其中该等几何相似区域分布于复数列及行中。如请求项9之影像感测装置，其中该规则重复图案之几何相似区域进一步包含：一第一行连续几何相似区域，该第一行包括具有形成于其中之光电二极体之至少两个邻近几何相似区域；及一邻近该第一行之第二行几何相似区域，其中该第二行中之该等几何相似区域中之至少一个区域具有共用于该第一行之该至少两个邻近几何相似区域中之该等光电二极体之间的电组件。如请求项12之影像感测装置，其中该第一行包括具有形成于其中之光电二极体之至少三个邻近几何相似区域。如请求项13之影像感测装置，其中该第一行包括具有形成于其中之光电二极体之至少四个邻近几何相似区域。一种影像感测器，其具有复数行及列之像素区域，该影像感测器包含：一包括形状及表面积相似之第一复数个像素区域之第一行；及一邻近该第一行之第二行，该第二行包括形状及表面积与该第一复数个像素区域相似之第二复数个像素区域，该第二复数个像素区域包括一包含共用于该第一行之n个像素区域中之每一区域中的一光电二极体之间的电组件的没有一光电二极体之像素区域，其中n@sIMGCHAR!d10008.TIF@eIMG!2。如请求项15之影像感测器，其中n@sIMGCHAR!d10009.TIF@eIMG!3。如请求项15之影像感测器，其中该第一行中之该n个像素区域直接彼此邻近。如请求项15之影像感测器，其中包含该等电组件之该像素区域与该第一行中之该n个像素区域中之至少一个像素区域邻近。如请求项15之影像感测器，其中该复数列与该复数行正交。一种用于操作一影像感测器之方法，其包含：提供一规则重复图案之形状及表面积彼此相似之几何相似区域，该等几何相似区域中之复数个区域具有形成于其中之光电二极体；及使用不包括光电二极体之该等几何相似区域中之剩余区域中之电组件收集来自该等光电二极体之信号，其中该等几何相似区域中之该剩余区域具有共用于在具有光电二极体形成于其中之该复数个几何相似区域中之三个或三个以上区域内之光电二极体之间的电组件。如请求项20之方法，其中该等几何相似区域中之该等剩余区域具有共用于该复数个几何相似区域中之三或更多个邻近区域内之光电二极体之间的电组件。如请求项20之方法，进一步包含在与该复数个几何相似区域中之邻近区域相关联的色彩之间内插一与几何相似区域中之该等剩余区域中之每一区域相关联的色彩。如请求项20之方法，其中提供该规则重复图案之几何相似区域包含：提供一第一行，该第一行包括具有形成于其中之光电二极体之四个几何相似区域；及一直接邻近该第一行之第二行，该第二行包括一其中具有电组件且没有一光电二极体之第五几何相似区域，其中该等电组件共用于该第一行之该四个几何相似区域中的该等光电二极体之间。如请求项20之方法，其进一步包含使用该等几何相似区域中之该等剩余区域中的该等电组件来放大该等信号。一种用于制造一影像感测装置之方法，其包含：界定一包含相同像素区域之一图案之像素阵列；及在该等相同像素区域中之至少一个区域中形成电组件，其中该等电组件共用于该等相同像素区域中之两个或两个以上区域中的光电二极体之间。如请求项25之方法，其中该等相同像素区域中之该两个或两个以上区域彼此邻近。如请求项25之方法，其中界定该像素阵列包含界定复数列及行，该复数列及行具有相同像素区域之该图案。如请求项25之方法，其中该等电组件共用于该等相同像素区域中的三个或三个以上区域内之光电二极体之间。如请求项28之方法，其中该等电组件共用于该等相同像素区域中的四个或四个以上区域内之光电二极体之间。 |
