半导体光发射元件、发光模组、照明装置、表面固定式发光二极体及弹丸式发光二极体

摘要

兹揭示一种半导体光发射元件，其系包含一固装于基底基板上之发光二极体晶片以及一覆盖该发光二极体晶片之磷光体。该发光二极体晶片的形状大体为正六角棱柱体而该磷光体的形状大体为圆柱体。该磷光体系经配置成使得该圆柱体的轴线大体与该棱柱体的轴线重合。

主权项

一种半导体光发射元件，其系包含：一具有一半导体多层结构的光发射元件，该半导体多层结构包含一发光层且其形状大体为一正六角棱柱体，该正六角棱柱体具有一大体为正六角形之横截面；以及一形状大体为一圆柱体的磷光体，其系经配置成可覆盖该光发射元件的主表面及侧面，该光发射元件的尺寸令该大体为正六角形之横截面的最长对角线为2.8mm或更小，且满足d2/d1≦1.4，d1表示该磷光体的角隅厚度，其系从该大体正六角棱柱体之一角隅沿着一线所测得，该线连结该角隅与该大体为正六角形之横截面的中心，d2表示该磷光体的侧面厚度，其系从该大体正六角棱柱体之一侧边上的一点沿着该侧边之垂直二等分线所测得的最大厚度。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中该磷光体系经配置成使得该圆柱体的轴线大体与该棱柱体的轴线重合。如申请专利范围第2项之半导体光发射元件，其中该棱柱体的正截面大体为一多边形直径至少1.4毫米的正六角形。如申请专利范围第3项之半导体光发射元件，其中该光发射元件为一发光二极体晶片，该发光二极体晶片具有一透光单晶基板，该半导体多层结构系磊晶成长于该透光单晶基板上，该半导体光发射元件更包含：一基底基板，该发光二极体晶片以覆晶(flip-chip)固定于该基底基板上，且该基底基板具有分别连接至该发光二极体晶片之一p型电极与一n型电极的第一供电端子与第二供电端子，该磷光体系部份由该基底基板支撑。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中该棱柱体的正截面大体为一多边形直径至少1.4毫米的正六角形。如申请专利范围第5项之半导体光发射元件，其中该光发射元件为一发光二极体晶片，该发光二极体晶片具有一透光单晶基板，该半导体多层结构系磊晶成长于该透光单晶基板上，该半导体光发射元件更包含：一基底基板，该发光二极体晶片以覆晶固定于该基底基板上，且该基底基板具有分别连接至该发光二极体晶片之一p型电极与一n型电极的第一供电端子与第二供电端子，该磷光体系部份由该基底基板支撑。如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中该光发射元件为一发光二极体晶片，该发光二极体晶片具有一透光单晶基板，该半导体多层结构系磊晶成长于该透光单晶基板上，该半导体光发射元件更包含：一基底基板，该发光二极体晶片以覆晶固定于该基底基板上，且该基底基板具有分别连接至该发光二极体晶片之一p型电极与一n型电极的第一供电端子与第二供电端子，该磷光体系部份由该基底基板支撑。一种照明模组，其系包含：一安装用基板；以及一如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其系装在该安装用基板上。一种照明装置，其包含如申请专利范围第8项之照明模组以作为光源。一种表面固定式发光二极体，其系包含如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中该光发射元件为一发光二极体晶片。一种弹丸式发光二极体，其系包含如申请专利范围第1项之半导体光发射元件，其中该光发射元件为一发光二极体晶片。