发明名称 长焊线组合方法与结构
摘要 揭示一种长焊线组合方法与结构。依照该方法,提供一半导体晶圆,具有复数个第一晶片。复数个凸块组植设于第一晶片之中间焊垫上。一绝缘涂布层覆盖于第一晶片的主动面,并局部显露凸块组。经由切割半导体晶圆,以分离第一晶片。第一晶片设置于一电路基板上,并打线形成复数个长焊线,连接第一晶片的凸块组与电路基板的接指。一第二晶片设置于第一晶片上,并一覆线胶层形成于两晶片之间。藉由绝缘涂布层的隔离,可防止在设置第二晶片时,长焊线因覆线胶层挤压而变形或坍塌,碰触至第一晶片的主动面,以防止短路之情形发生。
申请公布号 TWI378520 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW098132785 申请日期 2009.09.28
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 张程凯
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项 一种长焊线组合方法,包含:提供一半导体晶圆,具有复数个第一晶片,在该些第一晶片的主动面上设有复数个中间焊垫;植设复数个凸块组于该些中间焊垫上;覆盖一绝缘涂布层于该些第一晶片的主动面并使其沾附至该些凸块组,该绝缘涂布层的涂布厚度系不超过该些凸块组之高度,以局部显露该些凸块组;切割该半导体晶圆,以分离该些第一晶片;设置该第一晶片于一电路基板上,该电路基板系具有复数个接指;打线形成复数个第一焊线,连接在该第一晶片上的凸块组与该些接指;以及设置一第二晶片于该第一晶片上,其中一覆线胶层形成于该第一晶片与该第二晶片之间,用以黏接该第一晶片上的绝缘涂布层与该第二晶片之背面,藉由该绝缘涂布层的隔离,在该第二晶片的设置过程中该些第一焊线不会接触至该第一晶片的主动面并且该覆线胶层包覆该些第一焊线的长度二分之一以上。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,其中每一凸块组系选自于打线形成之单颗结线凸块与复数颗纵向叠置之结线凸块之其中之一。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,其中该些第一焊线系为逆打形成,以使该些第一焊线的结球端设置于该些接指。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,另包含之步骤为:打线形成复数个第二焊线,系电性连接该第二晶片与该电路基板。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,另包含之步骤为:形成一封装体于该电路基板上,以密封该第一晶片与该第二晶片。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,其中该绝缘涂布层系具有一与该覆线胶层黏合之非平坦表面。根据申请专利范围第1项之长焊线组合方法,其中在上述设置该第一晶片之步骤中,一黏晶层系黏合该第一晶片之背面与该电路基板。一种长焊线组合结构,包含:一第一晶片,在该第一晶片的主动面上设有复数个中间焊垫;复数个打线形成之凸块组,系植设于该些中间焊垫上;一绝缘涂布层,系覆盖该第一晶片的主动面并沾附至该些凸块组,该绝缘涂布层的涂布厚度系不超过该些凸块组之高度,以局部显露该些凸块组;一电路基板,系具有复数个接指,该第一晶片系设置于该电路基板上;打线形成之复数个第一焊线,系连接在该第一晶片上的凸块组与该些接指;一覆线胶层,系形成于该第一晶片上的绝缘涂布层上;一第二晶片,系设置于该第一晶片上,其中该覆线胶层黏接该第一晶片上的绝缘涂布层与该第二晶片之背面,藉由该绝缘涂布层的隔离,该些第一焊线不会接触至该第一晶片的主动面并且该覆线胶层包覆该些第一焊线的长度二分之一以上。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,其中每一凸块组系选自于打线形成之单颗结线凸块与复数颗纵向叠置之结线凸块之其中之一。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,其中该些第一焊线系为逆打形成,以使该些第一焊线的结球端设置于该些接指。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,另包含复数个第二焊线,系电性连接该第二晶片与该电路基板。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,另包含一封装体,系形成于该电路基板上,以密封该第一晶片与该第二晶片。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,其中该绝缘涂布层系具有一与该覆线胶层黏合之非平坦表面。根据申请专利范围第8项之长焊线组合结构,另包含一黏晶层,系黏合该第一晶片之背面与该电路基板。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号