| 主权项 |
一种微型化双平衡式混波器电路，其至少具有一第一信号输入端、一第二信号输入端、和一信号输出端，其中该第一信号输入端系用以接收一第一输入信号、该第二信号输入端系用以接收一第二输入信号、而该信号输出端则系用以输出一混波之信号；此微型化双平衡式混波器电路至少包含：一第一双式平衡对不平衡变压电路单元，其具有一个单端点之输入介面和一个四端点之输出介面；其中该单端点之输入介面系连接至该第一信号输入端，而该四端点之输出介面则用以输出四个平衡对不平衡转换后的输出变压信号；一第二双式平衡对不平衡变压电路单元，其具有一个单端点之输入介面和一个四端点之输出介面；其中该单端点之输入介面系连接至该第二信号输入端，而该四端点之输出介面则用以输出四个平衡对不平衡转换后的输出变压信号；以及一混波处理电路单元，其可接收该第一双式平衡对不平衡变压电路单元和该第二双式平衡对不平衡变压电路单元所输出之变压信号，并对其提供一混波处理作用而获得所需之混波信号；其中于积体电路布局上，该第一双式平衡对不平衡变压电路单元和该第二双式平衡对不平衡变压电路单元均为建基于一三维立体之多层式双壳绕圈型电路布局架构。如申请专利范围第1项所述之微型化双平衡式混波器电路，其为应用处理25 GHz至45 GHz的输入信号。如申请专利范围第1项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该第一双式平衡对不平衡变压电路单元系建置于一多层式电路基板。如申请专利范围第3项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板为一三层式电路基板，用以配置三层之分布式传输线路而构成一对马佳得式之双式平衡对不平衡转换器(Marchand dual balun)。如申请专利范围第4项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板上的各条分布式传输线路均为一1/4波长之微线路。如申请专利范围第3项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板为一130奈米(nm)CMOS制程所用之多层金属之矽基板。如申请专利范围第1项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该第二双式平衡对不平衡变压电路单元系建置于一多层式电路基板。如申请专利范围第7项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板为一三层式电路基板，用以配置三层分布式之传输线路而构成一对马佳得式之双式平衡对不平衡转换器(Marchand dual balun)。如申请专利范围第8项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板上的各条分布式传输线路均为一1/4波长之微线路。如申请专利范围第7项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该多层式电路基板为一130奈米(nm)CMOS制程所用之多层金属之矽基板。如申请专利范围第1项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该混波处理电路单元为一种二极体切换式之混波处理电路。如申请专利范围第1项所述之微型化双平衡式混波器电路，其中该混波处理电路单元为一电晶体切换式之混波处理电路。 |
