基板之处理方法、程式、电脑记忆媒体及基板处理系统

摘要

本发明系关于基板之处理方法、程式、电脑记忆媒体及基板处理系统。在基板上由下而上依序形成待处理膜、第一膜、感光性之第二膜。其后，选择性去除第二膜，并将露出部分的第一膜去除。再来，以第二膜为遮罩而蚀刻待处理膜。然后，去除第一膜之侧壁部，以使该第一膜成为既定之宽度。之后，以至少包覆第一膜及待处理膜之顶面之方式形成第三膜。之后，去除第一膜及第二膜。其后，以第三膜为遮罩而蚀刻待处理膜。之后去除第三膜。

主权项

一种基板之处理方法，在基板之待处理膜形成既定之图案，其特征为：于待处理膜上形成第一膜，在该第一膜上形成感光性之第二膜，将该第二膜选择性曝光，依据该已曝光部分而将该第二膜选择性去除，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜，去除该第一膜之侧壁部，以使该第一膜成为既定之宽度，以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜，去除该第一膜及第二膜，并以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜。一种基板之处理方法，在基板之待处理膜形成既定之图案，其特征为：于待处理膜上形成第一膜，在该第一膜上形成感光性之第二膜，将该第二膜选择性曝光，依据该已曝光部分而将该第二膜选择性去除，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除，并去除该第一膜之侧壁部，以使该第一膜成为既定之宽度，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜；以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜，去除该第一膜及第二膜，并以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜。如申请专利范围第1项之基板之处理方法，其中，该第一膜系对于硷性水溶液为可溶性之膜。如申请专利范围第1项之基板之处理方法，其中，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除时，以该经选择性去除步骤之第二膜为遮罩而蚀刻该第一膜。如申请专利范围第3项之基板之处理方法，其中，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除时，供应硷性水溶液之处理液到该第一膜，使该第一膜选择性溶解。如申请专利范围第5项之基板之处理方法，其中，去除该第一膜之侧壁部以使该第一膜成为既定之宽度时，供应该处理液到该第一膜之侧壁部，使该第一膜之侧壁部溶解。如申请专利范围第6项之基板之处理方法，其中，供应该处理液到该第一膜之侧壁部时，控制供应该处理液的时间，而使该第一膜成为既定之宽度。如申请专利范围第6项之基板之处理方法，其中，供应该处理液到该第一膜之侧壁部时，控制该处理液的浓度，而使该第一膜成为既定之宽度。如申请专利范围第2项之基板之处理方法，其中，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜时，在该第一膜之侧壁部的去除部分上，供应沉积性气体而形成第四膜；以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜时，以该第三膜及该第四膜为遮罩。如申请专利范围第2项之基板之处理方法，其中，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜时，将涂布液涂布在该第一膜之侧壁部的去除部分，而形成第四膜；以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜时，以该第三膜及该第四膜为遮罩。如申请专利范围第1项之基板之处理方法，其中，以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜时，以化学气相沉积法形成该第三膜；且回蚀该第三膜之表层，直到该第二膜之表面露出为止。如申请专利范围第1项之基板之处理方法，其中，以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式而形成第三膜时，藉由涂布涂布液，以形成对硷性水溶液具可溶性的该第三膜；且以硷性水溶液使该第三膜之表层溶解，直到该第二膜之表面露出为止。一种程式，于控制该基板处理系统之控制部的电脑上动作，用以使基板处理系统执行基板之处理方法；其特征为：该基板之处理方法，于待处理膜上形成第一膜，在该第一膜上形成感光性之第二膜。将该第二膜选择性曝光，依据该已曝光部分而将该第二膜选择性去除，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜，去除该第一膜之侧壁部，以使该第一膜成为既定之宽度，以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜，去除该第一膜及第二膜，并以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜。一种可读取之电脑记忆媒体，存放着于控制该基板处理系统之控制部的电脑上动作的程式，用以使基板处理系统执行基板之处理方法；其特征为：该基板之处理方法，于待处理膜上形成第一膜，在该第一膜上形成感光性之第二膜，将该第二膜选择性曝光，依据该已曝光部分而将该第二膜选择性去除，将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜去除，以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜，去除该第一膜之侧壁部，以使该第一膜成为既定之宽度，以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜，去除该第一膜及第二膜，并以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜。一种基板处理系统，在基板之待处理膜形成既定之图案，其特征为：包含：于待处理膜上形成第一膜的涂布装置；在该第一膜上形成感光性之第二膜的涂布装置；将该第二膜选择性曝光的曝光装置；依据该已曝光部分而将该第二膜选择性去除的去除装置；将因选择性去除该第二膜而露出之部分的该第一膜加以去除的去除装置；以该第二膜为遮罩而蚀刻该待处理膜的蚀刻装置；去除该第一膜之侧壁部的去除装置；以至少包覆该第一膜及该待处理膜之顶面之方式形成第三膜的涂布装置；去除该第一膜及第二膜的去除装置；以该第三膜为遮罩而蚀刻该待处理膜的蚀刻装置；及去除该第一膜之侧壁部时，控制该去除装置以使该第一膜成为既定宽度的控制部。