| 主权项 |
一种蚀刻包含In、Ga和Zn的非晶状氧化物之方法，其包含使用包含醋酸、柠檬酸、氢氯酸和过氯酸中之任何一者之蚀刻剂蚀刻该包含In、Ga和Zn的非晶状氧化物，其中当该蚀刻剂包含醋酸，该蚀刻剂中之醋酸浓度为20~68%重量；当该蚀刻剂包含柠檬酸，该蚀刻剂中之柠檬酸浓度为3.8~45%重量；当该蚀刻剂包含氢氯酸，该蚀刻剂中之氢氯酸浓度为0.7~8.5%重量；及当该蚀刻剂包含过氯酸，该蚀刻剂中之过氯酸浓度为5~44%重量。一种蚀刻包含ITO层和非晶状氧化物层之结构中之包含In及Ga、In及Zn、或In、Ga及Zn的该非晶状氧化物层之方法，其包含使用包含醋酸、柠檬酸、氢氯酸和过氯酸中之任何一者之蚀刻剂选择性蚀刻该包含In及Ga、In及Zn、或In、Ga及Zn的非晶状氧化物层，其中当该蚀刻剂包含醋酸，该蚀刻剂中之醋酸浓度为20~68%重量；当该蚀刻剂包含柠檬酸，该蚀刻剂中之柠檬酸浓度为3.8~45%重量；当该蚀刻剂包含氢氯酸，该蚀刻剂中之氢氯酸浓度为0.7~8.5%重量；及当该蚀刻剂包含过氯酸，该蚀刻剂中之过氯酸浓度为5~44%重量。如申请专利范围第2项之方法，其中该ITO层有结晶性。一种蚀刻包含了包含In和Ga的氧化物层和非晶状氧化物层之结构中之包含In和Zn、或In、Ga和Zn之该非晶状氧化物层之方法，其包含使用包含醋酸、柠檬酸、氢氯酸和过氯酸中之任何一者之蚀刻剂选择性蚀刻该包含In和Zn、或In、Ga和Zn之非晶状氧化物层，其中当该蚀刻剂包含醋酸，该蚀刻剂中之醋酸浓度为20~68%重量；当该蚀刻剂包含柠檬酸，该蚀刻剂中之柠檬酸浓度为3.8~45%重量；当该蚀刻剂包含氢氯酸，该蚀刻剂中之氢氯酸浓度为0.7~8.5%重量；及当该蚀刻剂包含过氯酸，该蚀刻剂中之过氯酸浓度为5~44%重量。一种蚀刻包含了包含In、Ga和Zn的氧化物层和非晶状氧化物层之结构中之包含In和Zn的该非晶状氧化物层之方法，其包含使用包含醋酸、柠檬酸和过氯酸中之任何一者之蚀刻剂选择性蚀刻该包含In和Zn的非晶状氧化物层，其中当该蚀刻剂包含醋酸，该蚀刻剂中之醋酸浓度为34~68%重量；当该蚀刻剂包含柠檬酸，该蚀刻剂中之柠檬酸浓度为3.8~45%重量；及当该蚀刻剂包含过氯酸，该蚀刻剂中之过氯酸浓度为21~70%重量。 |
