发明名称 受电装置及使用其之电子机器以及非接触式充电装置
摘要 电子机器1系具备:受电装置2、及电子机器本体3。受电装置2系具备:具有螺旋线圈之受电线圈11、及整流器12、及二次电池13。电子机器本体3系具备:电子装置14、及电路基板15。于螺旋线圈11与二次电池13、整流器12、电子装置14、电路基板15之间的至少1处配置有磁性箔体16。磁性箔体16之以饱和磁通密度Ms与板厚t的乘积所表示的Mst值,系为15以上。
申请公布号 TWI378480 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW096110214 申请日期 2007.03.23
申请人 东芝股份有限公司 日本;东芝高新材料公司 日本 发明人 井上哲夫;日下隆夫
分类号 H01F38/14 主分类号 H01F38/14
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种受电装置,其特征为:具备:具有螺旋线圈之受电线圈、及将产生于前述受电线圈之交流电压予以整流之整流器、及被以前述整流器所被整流之直流电压所充电之二次电池、及磁性箔体,被配置于前述螺旋线圈与前述二次电池之间,及前述螺旋线圈与前述整流器之间之至少1处,具有1片或复数片平均板厚为5 μm以上50 μm以下的非晶质合金薄带或Fe基微结晶薄带;于将前述磁性箔体的饱和磁通密度设为Ms〔单位:T〕、前述磁性箔体的合计板厚设为t〔单位:μm〕时,前述磁性箔体在以前述饱和磁通密度Ms与前述合计板厚t之乘积所表示之值(Mst〔单位:Tμm〕),系为15以上103.68以下;前述受电线圈之受电速度,系为0.25W/h以上。如申请专利范围第1项所记载之受电装置,其中,将前述磁性箔体的比导磁率之实际成分设为μr’时,前述磁性箔体在以前述比导磁率的实际成分μr’与前述合计板厚t之乘积所表示之值(μr’t〔单位:μm〕),系为40000以上。如申请专利范围第1项所记载之受电装置,其中,前述磁性箔体之电气阻抗值R〔单位:Ωm〕,系满足Rμr’≧1.01×10-3。如申请专利范围第1项所记载之受电装置,其中,前述磁性箔体之外周端部,系比前述螺旋线圈的外周部更延伸存在于外侧。如申请专利范围第1项所记载之受电装置,其中前述磁性箔体,系具有缝隙。如申请专利范围第1项所记载之受电装置,其中前述二次电池,系Li(锂)离子二次电池。一种电子机器,其特征为:具备有,非接触型受电装置,其具备:具有螺旋线圈之受电线圈、及将产生于前述受电线圈之交流电压予以整流之整流器、及被以前述整流器所被整流之直流电压所充电之二次电池;电子机器本体,其具备:从前述二次电池被供给前述直流电压而动作之电子装置、及构装有前述电子装置之电路基板;及磁性箔体,被配置于前述螺旋线圈与前述二次电池之间、前述螺旋线圈与前述整流器之间、前述螺旋线圈与前述电子装置之间、及前述螺旋线圈与前述电路基板之间之至少1处,具有1片或复数片平均板厚为5 μm以上50 μm以下的非晶质合金薄带或Fe基微结晶薄带;于将前述磁性箔体的饱和磁通密度设为Ms〔单位:T〕、前述磁性箔体的合计板厚设为t〔单位:μm〕时,前述磁性箔体在以前述饱和磁通密度Ms与前述板厚t之乘积所表示之值(Mst〔单位:Tμm〕),系为15以上103.68以下;前述受电线圈之受电速度,系为0.25W/h以上。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中,将前述磁性箔体的比导磁率之实际成分设为μr’时,前述磁性箔体在以前述比导磁率的实际成分μr’与前述合计板厚t之乘积所表示之值(μr’t〔单位:μm〕),系为40000以上。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中,,前述磁性箔体之电气阻抗值R〔单位:Ωm〕,系满足Rμr’≧1.01×10-3。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中前述螺旋线圈,系配置于前述二次电池的周围,且前述磁性箔体,系配置于前述螺旋线圈与前述电路基板之间。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中前述磁性箔体,系具有使其外周端部朝向与前述电路基板相反方向弯曲之弯曲部。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中前述磁性箔体之外周端部,系延伸存在于比前述螺旋线圈的外周部还更外侧。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中前述磁性箔体,系具有缝隙。如申请专利范围第7项所记载之电子机器,其中前述二次电池,系Li(锂)离子二次电池。一种非接触式充电装置,其特征为:具备:申请专利范围第7项所记载之电子机器、及供电装置,其具备:与前述电子机器的前述受电线圈为非接触式所配置的供电线圈、及对前述供电线圈施加交流电压的电源;将产生于前述供电线圈之磁通传达至前述受电线圈,而以非接触式来传送电力。
地址 日本;日本