半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法系在底板(41)上形成下层绝缘膜(1)，将具有半导体基板(4)及设置于该半导体基板下之多个外部接续用电极(13)的多个半导体构成体(2)固着在上述下层绝缘膜上，在半导体构成体之周围的上述下层绝缘膜上形成绝缘层(31a)，且在上述绝缘层之上面侧埋入框状的绝缘基板(32)。其后，将上述底板除去。其次，在上述下层绝缘膜下，将下层配线(22、22A)形成接续至上述半导体构成体之外部接续用电极，将上述半导体构成体之间的上述下层绝缘膜、上述绝缘层、及上述绝缘基板加以切断而获得多个半导体装置。在上述绝缘基板上形成上层配线(34)。

主权项

一种半导体装置，具备：半导体构成体(2)，系具有半导体基板(4)、设置于该半导体基板(4)下之多个外部接续用电极(13)、及以包围该等外部接续用电极的方式设置在该半导体基板(4)下之封装膜(14)；下层绝缘膜(1)，系设置于上述半导体构成体下及其周围；下层配线(22、22A)，系设置在上述下层绝缘膜下，电性接续至上述半导体构成体之外部接续用电极；绝缘层(31)，系于上述半导体构成体之周围，设置在上述下层绝缘膜上；框状的绝缘基板(32)，系埋入于上述绝缘层之上面侧，与半导体构成体(2)分开地位于上述半导体构成体(2)的周围；及上层配线(34)，系设于上述绝缘基板上，上述半导体构成体，系藉由将上述外部接续用电极及封装膜的下面经由接续层(3)接续至上述下层绝缘膜的上面，来搭载在上述下层绝缘膜。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：另外的下层配线(22B)，系设置在上述绝缘基板的下面，电性接续到上述下层配线及上述上层配线。如申请专利范围第1项之半导体装置，其上述下层绝缘膜及上述绝缘层具有贯穿孔(64)，且进一步具备：上下导通部(65)，系位于该等贯穿孔内，将上述下层配线及上述上层配线电性接续。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：上层包覆膜(38)，系设置在上述半导体构成体之半导体基板的上面。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：接地电位的导电层(34a)，系设置在上述半导体构成体之半导体基板的上面。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：热传导层(73)，系设置在上述半导体构成体之半导体基板的上面；及散热构件(74)，系设置在上述热传导层的上面。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：晶片零件(81)，系设置在上述半导体构成体之周围的上述下层绝缘膜上，接续到上述下层配线。如申请专利范围第1项之半导体装置，其进一步具备：下层包覆膜(25)，系设置在上述下层配线及上述下层绝缘膜之下，在与上述下层配线的的接续垫部对应之部分具有开口部(26)。如申请专利范围第8项之半导体装置，其进一步具备：焊料层(27)，系设置在上述下层包覆膜之开口部内及其下方，电性接续到上述下层配线的接续垫部。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中上述下层配线及上述上层配线具有各种多层构造。一种半导体装置之制造方法，具有：在底板(41)上形成下层绝缘膜(1)的步骤；将具有半导体基板(4)及设置于该半导体基板下之多个外部接续用电极(13)的多个半导体构成体(2)固着在上述下层绝缘膜上的步骤；将绝缘层(31a)形成在上述半导体构成体之周围的上述下层绝缘膜上，且在上述绝缘层的上面侧埋入框状的绝缘基板(32)的步骤；除去上述底板的步骤；及在上述下层绝缘膜下，将下层配线(22、22A)形成为接续至上述半导体构成体之外部接续用电极的步骤；将上述半导体构成体之间的上述下层绝缘膜、上述绝缘层、及上述绝缘基板加以切断而获得多个半导体装置的步骤，于上述绝缘基板上形成有上层配线(34)。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中除去上述底板的步骤，系利用蚀刻的方法。如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法，其中上述底板系由金属箔形成，除去上述底板的步骤，系利用使用蚀刻液的湿式蚀刻之方法。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中将上述半导体构成体固着在上述下层绝缘膜上的步骤包含：预先供给黏着材到上述下层绝缘膜上，将上述半导体构成体在上述下层绝缘膜上进行加热加压的步骤。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中将上述半导体构成体固着在上述下层绝缘膜上的步骤，系包含：预先供给黏着薄片到上述下层绝缘膜上，将上述半导体构成体在上述下层绝缘膜上进行加热加压的步骤。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中在上述绝缘基板上预先形成另外的下层配线(33)、上述上层配线及接续其等之上下导通部(36)，在上述下层绝缘膜下，将上述下层配线形成为接续到上述另外的下层配线。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中在上述上层配线及上述绝缘基板上预先形成上层包覆膜(38)，该上层包覆膜(38)在与上述上层配线之接续垫部对应之部分具有开口部(39)，在除去上述底板之前，将保护膜(47)贴附在上述上层包覆膜上，在形成上述下层配线之后，将上述保护膜剥离。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中在除去上述底板之前，将保护膜贴附在上述上层配线及上述绝缘基板上，在形成上述下层配线之后，将上述保护膜剥离。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中在除去上述底板之后，在上述下层绝缘膜、上述绝缘层及上述绝缘基板形成贯穿孔(64)，形成上述下层配线的步骤包含：在上述绝缘基板上形成上述上层配线(61)，且在上述贯穿孔内，将上下导通孔(65)形成为接续到上述下层配线及上述上层配线的步骤。如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法，其中保护金属层(51)及基底金属层(23a)系形成在由金属形成的上述底板上，上述下层绝缘膜形成于上述基底金属层上，除去上述底板的步骤，系包含除去上述保护金属层的步骤。如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法，其中在上述基底金属层之上面预先实施表面粗化处理，藉由包含树脂的材料形成上述下层绝缘膜。如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法，其中形成上述下层配线的步骤包含：在上述基底金属层下形成另外的基底金属层(23b)，在上述另外的基底金属层下利用电解电镀形成上部金属层(24)的步骤，上述下层配线系上述基底金属层、上述另外的基底金属层、及上述上部金属层的3层构造。如申请专利范围第22项之半导体装置之制造方法，其中上述底板、上述基底金属层、上述另外的基底金属层、及上述上部金属层系由铜制成，而上述保护金属层系由镍制成。