| 主权项 |
一种积体电路，包括：一记忆体阵列，以提供回应一读取命令之读取资料位元；一循环冗余码(CRC)产生器，以产生CRC位元，其对应于该记忆体阵列所提供之该读取资料位元；以及一传递框架单元，以传递该读取资料位元以及该CRC位元至一主机，其中该传递框架单元包括逻辑至少部分地根据一偏移值，而将该CRC位元之传递偏移开该读取资料位元之传递，该CRC位元与较该记忆体阵列所提供的读取资料串流中的该读取资料位元为晚的读取资料位元并列传送，该CRC位元透过与该读取资料位元与该较晚读取资料位元不同的线道传送。如申请专利范围第1项之积体电路，其中该偏移值系为一固定之偏移值。如申请专利范围第2项之积体电路，其中该固定之偏移值系为二分之一框架偏移。如申请专利范围第1项之积体电路，其中该偏移值系为一可程式化偏移值。如申请专利范围第4项之积体电路，更包括一暂存器，以储存该可程式化偏移值。如申请专利范围第1项之积体电路，更包括：如果CRC潜时超过一临界值，则延迟一资料框架之传递的逻辑。一种积体电路，包括：一介面电路，以从一记忆体装置接收读取资料位元；一循环冗余码(CRC)产生器，其系与该介面电路耦接以至少部分地根据该读取资料位元，产生本地CRC位元；另一介面电路，以从该记忆体装置接收远距产生之CRC位元，其中该远距产生之CRC位元覆盖该读取资料位元；以及一比较器，其系与该CRC产生器以及该另一介面电路耦接，该比较器比较该本地CRC位元与该远距产生之CRC位元，其中该CRC产生器系于接收该远距产生之CRC位元之前，开始产生该本地CRC位元。如申请专利范围第7项之积体电路，更包括：在比较该本地CRC位元与该远距产生之CRC位元之前，推测地对该读取资料位元操作之逻辑。如申请专利范围第7项之积体电路，其中该积体电路包括一记忆体控制器。一种改良记忆体装置之潜时之方法，包括：在一记忆体装置上，从一主机接收一读取命令；从该记忆体装置之一记忆体阵列，获得读取资料位元；启动从该记忆体装置至该主机之该读取资料位元的传递；在启动该读取资料位元的传递之后，产生该读取资料位元之循环冗余码(CRC)位元；以及透过与该读取资料位元传递的线道不同的线道传递该CRC位元，其中该CRC位元之传递系至少部分地根据一偏移值而被偏移开该读取资料位元之传递。如申请专利范围第10项之方法，其中该偏移值系为一固定之偏移值。如申请专利范围第11项之方法，其中该固定之偏移值系为二分之一框架偏移。如申请专利范围第10项之方法，其中该偏移值系为一可程式化偏移值。如申请专利范围第13项之方法，更包括：程式化该可程式化偏移值。如申请专利范围第14项之方法，其中程式化该可程式化偏移值包括：在记忆体装置启动时，程式化该可程式化偏移值。如申请专利范围第10项之方法，更包括：如果CRC潜时超过一临界值，则延迟一资料框架之传递。一种改良记忆体装置之潜时之系统，包括：一记忆体装置，包括，一记忆体阵列，以提供回应一读取命令之读取资料位元，一循环冗余码(CRC)产生器，以产生CRC位元，其对应于该记忆体阵列所提供之该读取资料位元，以及一传递框架单元，以传递该读取资料位元以及该CRC位元至一主机，其中该传递框架单元包括至少部分地根据一偏移值，而将该CRC位元之传递偏移开该读取资料位元之传递的逻辑，该CRC位元与较该记忆体阵列所提供的读取资料串流中的该读取资料位元为晚的读取资料位元并列传送，该CRC位元透过与该读取资料位元与该较晚读取资料位元不同的线道传送；以及该主机。如申请专利范围第17项之系统，其中该偏移值系为一固定之偏移值。如申请专利范围第17项之系统，其中该固定之偏移值系为二分之一框架偏移。如申请专利范围第17项之系统，其中该偏移值系为一可程式化偏移值。如申请专利范围第17项之系统，其中该主机包括：一介面电路，以从该记忆体装置接收该读取资料位元；一CRC产生器，其系与该介面电路耦接以至少部分地根据该读取资料位元，产生本地CRC位元；另一介面电路，以从该记忆体装置接收远距产生之CRC位元，其中该远距产生之CRC位元覆盖该读取资料位元；以及一比较器，其系与该CRC产生器以及该另一介面电路耦接，该比较器比较该本地CRC位元与该远距产生之CRC位元，其中该CRC产生器系于接收该远距产生之CRC位元之前，开始产生该本地CRC位元。如申请专利范围第21项之系统，其中该主机更包括：在比较该本地CRC位元与该远距产生之CRC位元之前，推测地对该读取资料位元操作之逻辑。如申请专利范围第22项之系统，其中该主机包括一记忆体控制器。 |
