非挥发性储存中减少程式干扰的方法及系统

摘要

一非挥发性半导体储存系统系以一方式来加以程式化使得藉由施加一较高增压电压在一或多个字线上来减小程式干扰，该一或多个字线系连接可被局部程式化的非挥发性储存元件。

主权项

一种在程式化非挥发性储存(storage)期间执行的方法，其包含：增压一非挥发性储存元件群组，该非挥发性储存元件群组包括一特定非挥发性储存元件与一或多个非挥发性储存元件，该一或多个非挥发性储存元件自该群组之一最后抹除程序开始但尚未完成完全程式化，该一或多个非挥发性储存元件包括一靠近且位于该特定非挥发性储存元件的一第一侧上之一第一相邻非挥发性储存元件，该非挥发性储存元件群组进一步包括自该群组之该最后抹除程序而尚未开始程式化之其他非挥发性储存元件，该增压包括施加一或多个较高增压信号至该一或多个非挥发性储存元件并施加一或多个不同增压信号至该等其他非挥发性储存元件，该一或多个较高增压信号的电压值系高于该一或多个不同增压信号的电压值达至少一基于该第一相邻非挥发性储存元件的一抹除状态与一中间程式化状态之间的差异之电压偏移(voltage offset)；以及在增压该群组时，施加一程式信号至该特定非挥发性储存元件。如请求项1之方法，其中：增压该群组并施加该程式信号之步骤系一程式化程序之部分，该程式化程序以一开始于该特定非挥发性储存元件并结束于该群组之一最终非挥发性储存元件之次序来施加该程式信号。如请求项2之方法，其中：该非挥发性储存元件群组系一NAND串之部分。如请求项1之方法，其中：该非挥发性储存元件群组系一NAND串之部分；以及该特定非挥发性储存元件系在该NAND串之一端处并靠近一源极连接元件。如请求项1之方法，其中：该一或多个非挥发性储存元件与该等其他非挥发性储存元件系在该特定非挥发性储存元件之一相同侧；以及该非挥发性储存元件群组系相互串联。如请求项1之方法，其进一步包含：在该增压该群组之步骤之前，使该一或多个非挥发性储存元件受到局部程式化。如请求项1之方法，其中：该非挥发性储存元件群组系一NAND串之部分，该NAND串具有一位元线侧与一源极侧；以及该一或多个非挥发性储存元件系相对于该特定非挥发性储存元件而在该位元线侧。如请求项7之方法，其中：该一或多个非挥发性储存元件仅由一靠近该特定非挥发性储存元件之相邻非挥发性储存元件组成；该增压包括施加一隔离电压至一隔离非挥发性储存元件，该隔离非挥发性储存元件靠近该特定非挥发性储存元件并相对于该特定非挥发性储存元件在该源极侧上；该增压包括施加一第一传递电压至复数个该等其他非挥发性储存元件；该增压包括施加一第二传递电压至该相邻非挥发性储存元件；以及该第二传递电压系大于该第一传递电压而该第一传递电压系大于该隔离电压。如请求项7之方法，其中：该一或多个非挥发性储存元件仅由一靠近该特定非挥发性储存元件之相邻非挥发性储存元件组成；该增压包括施加一中间电压至相对于该特定非挥发性储存元件在该源极侧上的一或多个中间非挥发性储存元件，该等中间非挥发性储存元件之一系靠近该特定非挥发性储存元件；以及该增压包括施加一隔离电压至靠近该一或多个中间非挥发性储存元件之一隔离非挥发性储存元件；该增压包括施加一第一传递电压至复数个该等其他非挥发性储存元件；该增压包括施加一第二传递电压至该相邻非挥发性储存元件，该一或多个较高增压信号仅由该第二传递电压组成；以及该第二传递电压系大于该第一传递电压而该第一传递电压系大于该中间电压。如请求项7之方法，其中：该一或多个非挥发性储存元件仅由一靠近该特定非挥发性储存元件之相邻非挥发性储存元件组成；该增压包括施加一中间电压至一中间非挥发性储存元件，该中间非挥发性储存元件靠近该特定非挥发性储存元件并相对于该特定非挥发性储存元件在该源极侧上；该增压包括施加一隔离电压至靠近该中间非挥发性储存元件之一隔离非挥发性储存元件；该增压包括施加一第一传递电压至复数个该等其他非挥发性储存元件；该增压包括施加一第二传递电压至该相邻非挥发性储存元件；该增压包括施加该第一传递电压至靠近该相邻非挥发性储存元件之一给定非挥发性储存元件；该增压包括施加该隔离电压至靠近该给定非挥发性储存元件之一非挥发性储存元件；以及该第二传递电压系大于该第一传递电压，而该第一传递电压系大于该中间电压。如请求项1之方法，其中：该一或多个非挥发性储存元件仅由一靠近该特定非挥发性储存元件之相邻非挥发性储存元件组成；以及在该增压步骤之前，该相邻非挥发性储存元件尚未被程式化。如请求项1之方法，其中：该程式信号系施加至该特定非挥发性储存元件之一控制闸极。如请求项1之方法，其中：该程式信号系一系列振幅递增电压脉冲之部分。如请求项1之方法，其中：该非挥发性储存元件群组系快闪记忆体装置。如请求项1之方法，其中：该非挥发性储存元件群组系多状态快闪记忆体装置。一种非挥发性储存系统，其包含：一组控制线；一组非挥发性储存元件，其与该等控制线通信，该组非挥发性储存元件包括一特定非挥发性储存元件，该组非挥发性储存元件包括一第一子集的一或多个非挥发性储存元件与一第二子集的一或多个非挥发性储存元件，该第一子集的一或多个非挥发性储存元件包括一靠近且位于该特定非挥发性储存元件的一第一侧上之一第一相邻非挥发性储存元件；以及一管理电路，其包括与该组控制线通信的一或多个电压提供电路，以在自该组之一最后抹除，该第一子集的一或多个非挥发性储存元件已经开始但尚未完成完全程式化时的一状态中提供信号至该组非挥发性储存元件，该一或多个电压提供电路提供增压电压至该第一子集的一或多个非挥发性储存元件与该第二子集的一或多个非挥发性储存元件，包括提供一或多个较高增压电压至该第一子集的一或多个非挥发性储存元件以及提供一或多个不同增压电压至该第二子集，该一或多个较高增压电压系高于该一或多个不同增压电压达至少一基于该第一相邻非挥发性储存元件的一抹除状态与一中间程式化状态之间的差异之电压偏移(voltage offset)，该一或多个电压提供电路在增压该第一子集的一或多个非挥发性储存元件与该第二子集的一或多个非挥发性储存元件时提供一程式化信号至该特定非挥发性储存元件。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该管理电路以一从该特定非挥发性储存元件向一相对端非挥发性储存元件之次序施加该程式化信号至该组非挥发性储存元件。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该特定非挥发性储存元件系靠近一源极连接装置。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该组非挥发性储存元件系一NAND串之部分；以及该特定非挥发性储存元件系相对于该组非挥发性储存元件而在该NAND串之一源极侧端。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该第一子集的一或多个非挥发性储存元件与该第二子集的一或多个非挥发性储存元件系在该特定非挥发性储存元件之一相同侧上；以及该第一子集的一或多个非挥发性储存元件与该第二子集的一或多个非挥发性储存元件相互串联。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：在该提供该一或多个较高增压电压至该第一相邻非挥发性储存元件之前，该管理电路局部程式化该第一子集的一或多个非挥发性储存元件。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该组非挥发性储存元件系一NAND串之部分，该NAND串具有一位元线侧与一源极侧。如请求项22之非挥发性储存系统，其中：该一或多个电压提供电路施加一隔离电压至靠近该特定非挥发性储存元件之一隔离非挥发性储存元件。如请求项22之非挥发性储存系统，其中：该一或多个电压提供电路施加一中间电压至靠近该特定非挥发性储存元件之一中间非挥发性储存元件；以及该一或多个电压提供电路施加一隔离电压至靠近该中间非挥发性储存元件之一隔离非挥发性储存元件。如请求项22之非挥发性储存系统，其中：该第一子集的一或多个非挥发性储存元件仅由相对于该特定非挥发性储存元件的一相邻非挥发性储存元件组成；以及该一或多个较高增压电压仅由一较高传递电压组成。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该组非挥发性储存元件具有浮动闸极。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：该等控制线系连接至该等非挥发性储存元件之控制闸极区域的字线。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：一组非挥发性储存元件系快闪记忆体装置。如请求项16之非挥发性储存系统，其中：一组非挥发性储存元件系多状态快闪记忆体装置。